การศึกษาการเสื่อมสภาพจากแสงและอุณหภูมิสูง (LeTID) ของแผงเซลล์แสงอาทิตย์สำหรับเทคโนโลยี PERC (Passivated Emitter and Rear Cell)

        การผลิตไฟฟ้าพลังงานแสงอาทิตย์ในประเทศไทยได้รับการยอมรับเป็นวงกว้างซึ่งเห็นได้จากกำลังการผลิตติดตั้งในปี 2563 มีกำลังการผลิตติดตั้งสะสมทั้งสิ้น 3,939 MWp ส่วนใหญ่เป็นการผลิตไฟฟ้าพลังงานแสงอาทิตย์ที่ติดตั้งบนพื้นดินมีกำลังการผลิตติดตั้งสะสม 3,067 MWp ในอีกทางหนึ่งการผลิตไฟฟ้าพลังงานแสงอาทิตย์ที่ติดตั้งบนหลังคาเป็นระบบที่ได้รับการส่งเสริมภายใต้การปฏิรูปด้านพลังงานและมีการเติบโตเพิ่มขึ้นอย่างต่อเนื่อง

        จากแผนพัฒนาพลังงานทดแทนและพลังงานทางเลือก พ.ศ. 2561-2580 (AEDP2018) ได้กำหนดเป้าหมายการผลิตไฟฟ้าจากพลังงานแสงอาทิตย์อยู่ที่ 12,139 MW และในแผนพัฒนากำลังผลิตไฟฟ้าของประเทศไทย พ.ศ. 2561-2580 (PDP2018 Revision 1) ได้กำหนดเป้าหมายของการผลิตไฟฟ้าพลังงานแสงอาทิตย์บนทุ่นลอยร่วมกับโรงไฟฟ้าพลังน้ำอยู่ที่ 2,725 MW จะเห็นได้ว่าการผลิตไฟฟ้าพลังงานแสงอาทิตย์มีแนวโน้มการเติบโตอย่างต่อเนื่อง

        ทั้งนี้จากช่วงเวลาที่ผ่านมาการใช้งานแผงเซลล์แสงอาทิตย์ ส่วนใหญ่เป็นแผงเซลล์แสงอาทิตย์เทคโนโลยี Aluminum Back Surface Field (Al-BSF) ต่อมาได้มีการพัฒนาเพื่อเพิ่มประสิทธิภาพในการผลิตไฟฟ้าจึงมีเทคโนโลยี Passivated Emitter and Rear Contact (PERC) เป็นอีกทางเลือกในการใช้งานผลิตไฟฟ้าจากพลังงานแสงอาทิตย์ และในช่วง 5 ปีที่ผ่านมาได้รับความนิยมเพิ่มขึ้นเป็นลำดับเนื่องจากมีประสิทธิภาพในการผลิตไฟฟ้าสูงกว่าแผงเซลล์แสงอาทิตย์แบบเดิมด้วยราคาที่ไม่แตกต่างจากเดิมนัก อย่างไรก็ตาม เมื่อนำแผงเซลล์แสงอาทิตย์เทคโนโลยี PERC มาใช้งานได้พบว่าแผงเซลล์แสงอาทิตย์เทคโนโลยี PERC จะเกิดการเสื่อมสภาพเนื่องจากแสงและอุณหภูมิสูง ดังผลการศึกษาโดย Kersten และคณะ (2017) ซึ่งเป็นการศึกษาระบบผลิตไฟฟ้าพลังงานแสงอาทิตย์ในประเทศเยอรมนีและไซปรัส

        การเสื่อมสภาพของแผงเซลล์แสงอาทิตย์เนื่องจากแสงและอุณหภูมิสูง หรือ Light-and elevated Temperature-induced Degradation (LeTID) เป็นปรากฏการณ์ใหม่ที่ยังไม่ทราบกลไลการเสื่อมสภาพที่ชัดเจนแต่ทราบว่าเกิดจากแสงและอุณหภูมิสูง ซึ่งทำให้เกิดพาหะส่วนเกินภายในเซลล์แสงอาทิตย์นำไปสู่ประสิทธิภาพการผลิตไฟฟ้าที่ลดลง จากการเสื่อมสภาพของเซลล์แสงอาทิตย์เนื่องจาก LeTID จึงมีการศึกษาสาเหตุและวิธีการแก้ไขในระดับโครงสร้างของเซลล์แสงอาทิตย์ทั้งคุณสมบัติของ n-type crystalline silicon และ p-type crystalline silicon     

          อย่างไรก็ตามสำหรับงานทดสอบมาตรฐานเพื่อรับรองคุณภาพผลิตภัณฑ์และการติดตามความผิดปกติของระบบผลิตไฟฟ้าพลังงานแสงอาทิตย์ มีความจำเป็นที่ต้องศึกษาให้ทราบลักษณะเฉพาะทางไฟฟ้าที่สามารถบ่งชี้ได้ถึงแผงเซลล์แสงอาทิตย์ที่ใช้งานมีการเสื่อมสภาพจาก LeTID จึงเป็นที่มาของงานวิจัยนี้ที่จะศึกษาลักษณะเฉพาะทางไฟฟ้าหรือ I-V curve characteristic ของแผงเซลล์แสงอาทิตย์เทคโนโลยี PERC ที่เสื่อมสภาพจาก LeTID
ค่า Kinetic Rate และภาพถ่ายเรืองแสง (Electroluminescent) เพื่อใช้ระบุความผิดปกติของแผงเซลล์แสงอาทิตย์ดังกล่าว