อิทธิพลของอุณหภูมิต่อสมบัติทางผิวของฟิ ล์มเคลือบ DLC ที่ถูกเติมธาตุซิลิกอนและออกซิเจน

งานวิจัยนี้เพื่อศึกษาอิทธิพลของอุณหภูมิที่ส่งผลต่อสมบัติทางผิวของฟิ ล์มเคลือบคาร์บอนคล้ายเพชร (DLC) ที่ถูกเติมธาตุ Silicon และ Oxygen (Si-O-DLC) ที่อัตราส่วน 13:1:2, 45:1:2และ 88:1:2 ด้วยเทคนิค Plasma Based Ion Implantation (PBII) บนชิ้นงาน Silicon wafer ชิ้นงานที่ถูกเคลือบนํามาอบที่อุณหภูมิ 450, 500 และ 550องศาเซลเซียส เป็นเวลา 1 ชั่วโมง แล้วปล่อยให้เย็นตัวในเตา ส่วนผสมของธาตุบนผิวฟิ ล์มเคลือบ ถูกวัดด้วยเครื่อง Energy Dispersive X-ray Spectroscopy (EDS) และค่าสัมประสิทธิ์ ความเสียดทานของฟิ ล์ม ทดสอบด้วยวิธีแบบ Ball on disk จากการทดลองพบว่าค่าสัมประสิทธิ์ ความเสียดทานของฟิ ล์ม Si-O-DLC ที่ อัตราส่วน 13:1:2 แสดงค่าก่อนถูกอบและหลังถูกอบที่อุณหภูมิ 450o C ตํ่าที่สุดเท่ากับ 0.05 และ 0.07 ตามลําดับ ค่าสัมประสิทธิ์ ความเสียดทานของฟิ ล์ม Si-O-DLC เพิ่มมากขึ้นเมื่อถูกอบที่อุณหภูมิสูงขึ้น