INFLUENCE OF N2 FLOW RATE ON THE PROPERTIES OF VANADIUM NITRIDE THIN FILMS DEPOSITED BY REACTIVE DC MAGNETRON SPUTTERING

บทความในวารสาร

ผู้เขียน/บรรณาธิการ

กลุ่มสาขาการวิจัยเชิงกลยุทธ์

รายละเอียดสำหรับงานพิมพ์

รายชื่อผู้แต่ง: Prathumsit, Jedsada; Phae-ngam, Wuttichai; Chaikeeree, Tanapoj; Mungkung, Narong; Lertvanithphol, Tossaporn;
Horprathum, Mati; Gitgeatpong, Ganatee

ผู้เผยแพร่: -

ปีที่เผยแพร่ (ค.ศ.): 2023

ชื่อย่อของวารสาร: -

Volume number: 30

Issue number: 4

หน้าแรก: 1

หน้าสุดท้าย: 5

จำนวนหน้า: 5

นอก: 0858-849X

eISSN: 2587-0009

URL: https://www.scopus.com/inward/record.uri?eid=2-s2.0-85171287528&doi=10.55766%2fsujst-2023-04-e02237&partnerID=40&md5=1842e1dc506260a6d8cb37284a93b4e9

ภาษา: English-Great Britain (EN-GB)

ดูบนเว็บไซต์ของสำนักพิมพ์

บทคัดย่อ

Vanadium nitride (VN) thin films have been deposited on silicon wafer substrates by reactive DC magnetron sputtering with varied nitrogen (N2) flow rates from 5.0 to 8.0 sccm without substrate heating. The crystallinity, morphology, and optical properties of the prepared VN films were investigated by gracing-incidence X-ray diffraction (GIXRD), field emission scanning electron microscope (FE-SEM), and UV-Vis-NIR spectrophotometer, respectively. The GIXRD pattern shows that the crystal structure of the films is consistent with the face-centered cubic VN structure. An increase in N2 led to a decrease in film thickness and sheet resistance. On the contrary, the reflectance percentage tends to increase with the increase of N2 flow rate. [Copyright information to be updated in the production process]. ฉ 2023 Suranaree J. Sci. Technol.

คำสำคัญ

Reactive DC magnetron sputtering, thin film