NiO thickness measurement using a rectangular-type Sagnac interferometer as the material transport layer in a perovskite solar cell
บทความในวารสาร
ผู้เขียน/บรรณาธิการ
กลุ่มสาขาการวิจัยเชิงกลยุทธ์
รายละเอียดสำหรับงานพิมพ์
รายชื่อผู้แต่ง: Usman, Abdullahi; Bhatranand, Apichai; Jiraraksopakun, Yuttapong; Muhammad, Khalid Sabo; Buranasiri, Prathan;
ผู้เผยแพร่: Optica Publishing Group
ปีที่เผยแพร่ (ค.ศ.): 2024
ชื่อย่อของวารสาร: Appl. Opt.
Volume number: 63
Issue number: 11
หน้าแรก: 2868
หน้าสุดท้าย: 2875
จำนวนหน้า: 8
นอก: 1559-128X
eISSN: 2155-3165
ภาษา: English-United States (EN-US)
บทคัดย่อ
This work aims to utilize a phase-shifting technique in a rectangular-type Sagnac interferometer (RTSI) to measure the thickness of a thin film of nickel (II) oxide (NiO) in an electron transport layer (ETL) in perovskite solar cell preparation. TheNiO layer is deposited on a fluorine-doped tin oxide (FTO) glass substrate. In the RTSI setup, the signal output from the interferometer is divided into the reference and testing arms using a nonpolarizing beam splitter (NPBS). The balanced photodetectors then detect the signal, with the FTO/NiO layer placed in the testing armand pure FTOin the reference arm. By analyzing the signal intensities at polarization settings of 0° to 180°, the phase shift and thickness of theNiO layer can be determined. The thickness values of FTOandNiO films obtained through three different phase-shifting algorithms of three-, four-, and five-steps are calculated. The obtained NiO thickness values are validated against scanning electron microscopy (SEM). Finally, by considering the NiO thickness value that exhibits the lowest percentage error compared to one from SEM, it is confirmed that the three-step algorithm is the most suitable scheme for obtaining intensities at 0°, 45°, and 90°. Therefore, the proposed setup shows promise as a replacement forSEMin thickness measurements. © 2024 Optica Publishing Group.
คำสำคัญ
ไม่พบข้อมูลที่เกี่ยวข้อง
ติดต่อสอบถามเพิ่มเติมได้ที่