Temperature-dependent photoluminescence kinetics, photo- and radio-luminescence, and scintillation properties of Y1.75Gd1.25Al2.8Ga2.2O12:Ce,Mo (Mo = 0, 40, 100, 200 ppm) single-crystalline films
บทความในวารสาร
ผู้เขียน/บรรณาธิการ
กลุ่มสาขาการวิจัยเชิงกลยุทธ์
รายละเอียดสำหรับงานพิมพ์
รายชื่อผู้แต่ง: Chewpraditkul W.; Wantong K.; Chewpraditkul W.; Kucerkova R.; Beitlerova A.; Strachotova D.; Nikl M.; Kucera M.
ผู้เผยแพร่: Elsevier
ปีที่เผยแพร่ (ค.ศ.): 2025
วารสาร: Optical Materials (0925-3467)
Volume number: 165
นอก: 0925-3467
eISSN: 1873-1252
ภาษา: English-Great Britain (EN-GB)
บทคัดย่อ
Photo- and radio-luminescence and scintillation properties of Y1.75Gd1.25Al2.8Ga2.2O12:Ce,Mo (Mo = 0, 40, 100, 200 ppm) single-crystalline films grown by the isothermal liquid phase epitaxy technique and microcrystalline powders (Mo = 0 and 600 ppm) were investigated. The onset temperature at 375 K for luminescence quenching was determined from the temperature-dependent photoluminescence kinetics. Under excitation with 5.5 MeV α particles, the Y1.75Gd1.25Al3Ga2O12:Ce,Mo40 exhibited the highest light yield of 8900 photons/MeV and energy resolution of 4.8 % along with scintillation decay times of 115 ns (20.3 %) + 967 ns (29.9 %) + 2825 (49.8 %). © 2025
คำสำคัญ
ไม่พบข้อมูลที่เกี่ยวข้อง