Performance of SπRIT TPC gating grid driver
บทความในวารสาร
ผู้เขียน/บรรณาธิการ
กลุ่มสาขาการวิจัยเชิงกลยุทธ์
รายละเอียดสำหรับงานพิมพ์
รายชื่อผู้แต่ง: Tangwancharoen, S.; Lokotko, T.; Lynch, W.G.; Gunter, O.; Tsang, M.B.; Wieske, J.M.; Barney, J.; Chajȩcki, Z.; Aponte, J.D.; Estee, J.; Hunt, C.; Isobe, T.; Jhang, G.; Kendziorski, B.; Kurata-Nishimura, M.; Murakami, T.; Park, J.; Tam, C.K.; Tian, B.; Wang, R.; Wang, Y.; Xu, J.; Yeung, R.W.-Y.; Zhang, Y.
ผู้เผยแพร่: Elsevier
ปีที่เผยแพร่ (ค.ศ.): 2026
วารสาร: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment (0168-9002)
Volume number: 1083
หน้าแรก: 171158
นอก: 0168-9002
eISSN: 1872-9576
ภาษา: English-Great Britain (EN-GB)
บทคัดย่อ
We present the design, implementation, and performance of a fast-switching gating grid driver (GGD) for the SπRIT Time Projection Chamber, optimized for heavy-ion collision experiments. The GGD controls the wire gating grid to transmit drift electrons from nuclear reactions while blocking ion backflow and background from non-interacting beam particles. A GGD circuit with matched metal–oxide–semiconductor field-effect transistors (MOSFET) and tunable capacitors and resistors enables rapid, low-noise transitions between open and closed states. Bench tests and in-situ tests with the Time Projection Chamber confirm reliable operation with minimal pickup noise. In the 2016 campaign, GGDs using surface-mounted resistors exhibited limited operational lifetimes. For the 2024 campaign, we incorporated anti-surge resistors with higher inductive damping. The new resistors reduced switching noise and resulted in shorter noise decay times. These improvements enabled robust operation at high event rates, achieving stable performance over extended beam times. © 2025 Elsevier B.V.
คำสำคัญ
ไม่พบข้อมูลที่เกี่ยวข้อง
ติดต่อสอบถามเพิ่มเติมได้ที่