Power harvester design for semi-passive UHF RFID tag using a tunable impedance transformation
Conference proceedings article
ผู้เขียน/บรรณาธิการ
กลุ่มสาขาการวิจัยเชิงกลยุทธ์
ไม่พบข้อมูลที่เกี่ยวข้อง
รายละเอียดสำหรับงานพิมพ์
รายชื่อผู้แต่ง: Wilas J., Jirasereeamornkul K., Kumhom P.
ผู้เผยแพร่: Hindawi
ปีที่เผยแพร่ (ค.ศ.): 2009
หน้าแรก: 1441
หน้าสุดท้าย: 1445
จำนวนหน้า: 5
ISBN: 9781424445219
นอก: 0146-9428
eISSN: 1745-4557
ภาษา: English-Great Britain (EN-GB)
บทคัดย่อ
This paper proposes a design of a power harvester for a semi-passive RFID Tag. A tunable impedance transformation circuit is inserted between the antenna and the rectifier unit to maximize the power delivered to the rectifier of a tag and minimize reflections from the antenna input port. A power harvester for the UHF band of 950 MHz has been designed based on a 0.35 μm CMOS technology. This impedance matching is designed to maximize efficiency by characterizing both the tunable impedance transformation circuit and the conventional rectifier circuit. The antenna is modeled as an RF source with series impedance Z S of 50Ω while the rectifier is modeled an impedance Z L, which is approximated from the process and design parameters of the NMOS transistors used in the conventional NMOS rectifier. These two impedances are used to find optimal matching parameters of the chosen lowpass LL matching circuit. The simulation results show that the required voltage for a 1.2V secondary battery can be achieved with the tunable impedance matching circuit and conventional 2-stage rectifier. The DC output of the rectifier yields the maximum DC voltage of 1.77V, the maximum average current of 4.72μ A, and the power conversion efficiency of 15.85% for the input RF power of -14.47dBm at the battery voltage of 1.2V. ©2009 IEEE.
คำสำคัญ
ไม่พบข้อมูลที่เกี่ยวข้อง
ติดต่อสอบถามเพิ่มเติมได้ที่