Ultra-thin Al2O3 formation at room temperature
Conference proceedings article
ผู้เขียน/บรรณาธิการ
กลุ่มสาขาการวิจัยเชิงกลยุทธ์
ไม่พบข้อมูลที่เกี่ยวข้อง
รายละเอียดสำหรับงานพิมพ์
รายชื่อผู้แต่ง: Limnonthakul P., Pokaipisit A., Limsuwan P.
ผู้เผยแพร่: Trans Tech Publications
ปีที่เผยแพร่ (ค.ศ.): 2010
Volume number: 93-94
หน้าแรก: 113
หน้าสุดท้าย: 116
จำนวนหน้า: 4
ISBN: 0878492852; 9780878492855
นอก: 1022-6680
eISSN: 1662-8985
ภาษา: English-Great Britain (EN-GB)
ดูในเว็บของวิทยาศาสตร์ | ดูบนเว็บไซต์ของสำนักพิมพ์ | บทความในเว็บของวิทยาศาสตร์
บทคัดย่อ
Ultra-thin Al films were deposited with different deposition times on silicon wafer and copper grid by dc magnetron sputtering. The sputtering power of 200 watt and Ar flow rate of 20 sccm were used to prepare the films. The deposition times were 40, 120 and 240 second, respectively. The deposited Al films were, then, left in the air under the humidity of 60% for 20 days. The crystal structure of ultra-thin Al films deposited on silicon wafer and copper grid were investigated by glazing x-ray diffraction (GXRD) and transmission electron microscopy (TEM), respectively. The XRD results show that after the ultra thin Al films were exposed to the air, the Al was oxidized and the Al2O3 was formed at room temperature. In addition, Al deposited for 120 and 240 second can form polycrystalline of γ -Al2O3 with preferred orientations of (110) and (311) planes. The TEM images show that the particle size of γ -Al2O3 was about 8.5 nm for deposited time of 120 second. Moreover, the spectroscopic ellipsometry (SE) data and simulation model of Bruggemann effective medium approximation (BEMA) was used to determine the volume fraction of Al2O3. © (2010) Trans Tech Publications.
คำสำคัญ
Ultra-thin Al films, γ-Al 2O3
ติดต่อสอบถามเพิ่มเติมได้ที่