Characterization of aluminium titanium nitride thin films deposited by reactive magnetron Co-sputtering

Conference proceedings article

ผู้เขียน/บรรณาธิการ

กลุ่มสาขาการวิจัยเชิงกลยุทธ์

ไม่พบข้อมูลที่เกี่ยวข้อง

รายละเอียดสำหรับงานพิมพ์

รายชื่อผู้แต่ง: Buranawong A., Chaiyakhun S., Limsuwan P.

ผู้เผยแพร่: Trans Tech Publications

ปีที่เผยแพร่ (ค.ศ.): 2010

Volume number: 93-94

หน้าแรก: 340

หน้าสุดท้าย: 343

จำนวนหน้า: 4

ISBN: 0878492852; 9780878492855

นอก: 1022-6680

eISSN: 1662-8985

URL: https://www.scopus.com/inward/record.uri?eid=2-s2.0-75649107622&doi=10.4028%2fwww.scientific.net%2fAMR.93-94.340&partnerID=40&md5=ac050c69afcbb2df71bfb2f60b865d31

ภาษา: English-Great Britain (EN-GB)

ดูในเว็บของวิทยาศาสตร์ | ดูบนเว็บไซต์ของสำนักพิมพ์ | บทความในเว็บของวิทยาศาสตร์

บทคัดย่อ

Nanocrystalline aluminium titanium nitride (AlTi3N) thin films were deposited on Si (100) wafers and grids by reactive magnetron co-sputtering technique using titanium and aluminium targets. The films were sputtered in Ar and N2 mixture at a constant flow rate under different conditions of deposition time ranging from 15 to 60 minutes. The crystal structure was characterized by X-Ray diffraction (XRD) and microstructure was analyzed by transmission electron microscopy (TEM). The results indicated that the formation of polycrystalline AlTi3N with the orthorhombic structure and the development of crystal structure was observed by varied the deposition time. The microstructure of films was good according to the XRD results. On the other hand, after annealed the films at 500ฐC in the air for 1 hour, the crystal structure did not change that exposed the stable structure of AlTi3N films. ฉ (2010) Trans Tech Publications.

คำสำคัญ

Aluminium titanium nitride, Reactive magnetron co-sputtering, Tem