Characterization of aluminum oxide films deposited on Al2O 3-TiC by RF diode sputtering
Conference proceedings article
ผู้เขียน/บรรณาธิการ
กลุ่มสาขาการวิจัยเชิงกลยุทธ์
ไม่พบข้อมูลที่เกี่ยวข้อง
รายละเอียดสำหรับงานพิมพ์
รายชื่อผู้แต่ง: Panitchakan H., Limsuwan P.
ผู้เผยแพร่: Elsevier
ปีที่เผยแพร่ (ค.ศ.): 2012
Volume number: 32
หน้าแรก: 902
หน้าสุดท้าย: 908
จำนวนหน้า: 7
นอก: 1877-7058
ภาษา: English-Great Britain (EN-GB)
ดูในเว็บของวิทยาศาสตร์ | ดูบนเว็บไซต์ของสำนักพิมพ์ | บทความในเว็บของวิทยาศาสตร์
บทคัดย่อ
In magnetic head recording storage, Al2O3 film was deposited onto Al2O3-TiC substrate, as insulating and protection layers, using RF diode sputtering. Pure Al2O3 (99.5%) with a dimension of 43.2 cm ื43.2 cm ื2.0 cm was used as a sputtering target. The base pressure for all depositions was 1 ื 10 -6 m Torr and the deposition time was 12.2 min. The target sputtering power and substrate bias voltage were varied from 4 to 8 kW and 80 to 180 V, respectively. The surface morphology of Al2O3 films was investigated using atomic force microscopy (AFM) and scanning electron microscopy (SEM). It was found that the roughness of deposited Al 2O3 films depends on sputtering power. SEM cross-sectional image clearly showed good adhesion between substrate and Al2O 3 film. The mechanical properties, including elastic modulus and hardness, of Al2O3 films were performed on nanoindentator. The results showed that both elastic and hardness of Al2O 3 films increased with the increase of target sputtering power. ฉ 2010 Published by Elsevier Ltd.
คำสำคัญ
RF diode sputtering
ติดต่อสอบถามเพิ่มเติมได้ที่