Pattern transfer characterization after double-level lithography for a fabrication of the three-dimensional aluminum titanium carbide air bearing surface of the hard disk slider
บทความในวารสาร
ผู้เขียน/บรรณาธิการ
กลุ่มสาขาการวิจัยเชิงกลยุทธ์
ไม่พบข้อมูลที่เกี่ยวข้อง
รายละเอียดสำหรับงานพิมพ์
รายชื่อผู้แต่ง: Pholprasit P., Atthi N., Thammabut T., Jeamsaksiri W., Hruanun C., Poyai A., Silapunt R.
ผู้เผยแพร่: IOP Publishing
ปีที่เผยแพร่ (ค.ศ.): 2012
วารสาร: Japanese Journal of Applied Physics (0021-4922)
Volume number: 51
Issue number: 6 PART 2
นอก: 0021-4922
eISSN: 1347-4065
ภาษา: English-Great Britain (EN-GB)
ดูในเว็บของวิทยาศาสตร์ | ดูบนเว็บไซต์ของสำนักพิมพ์ | บทความในเว็บของวิทยาศาสตร์
บทคัดย่อ
The transfer characteristics of the three-dimensional (3D) photoresist (PR) pattern to the aluminum titanium carbide (AlTiC) layer made for an air bearing surface (ABS) using the double-level lithography process and reactive ion etching (RIE) is investigated. The simulated process windows for single-level (conventional) and double-level lithography provide the process conditions to obtain desired PR thicknesses. The PR pattern with the underneath AlTiC layer is then etched with the designed recipe that consists of three consecutive etchings using CF4, O2, and CF4, respectively. The triple-step pattern is successfully formed on the AlTiC layer. The nonlinear relationship of the cumulative exposure and the PR thickness is believed to contribute to a decrease in etch selectivity of PR:AlTiC on the double-exposure area with the cumulative exposure. ฉ 2012 The Japan Society of Applied Physics.
คำสำคัญ
ไม่พบข้อมูลที่เกี่ยวข้อง
ติดต่อสอบถามเพิ่มเติมได้ที่