Single langmuir probe measurements in an unbalanced magnetron sputtering system
Conference proceedings article
ผู้เขียน/บรรณาธิการ
กลุ่มสาขาการวิจัยเชิงกลยุทธ์
ไม่พบข้อมูลที่เกี่ยวข้อง
รายละเอียดสำหรับงานพิมพ์
รายชื่อผู้แต่ง: Honglertkongsakul K., Chaiyakun S., Witit-Anun N., Kongsri W., Limsuwan P.
ผู้เผยแพร่: Elsevier
ปีที่เผยแพร่ (ค.ศ.): 2012
Volume number: 32
หน้าแรก: 962
หน้าสุดท้าย: 968
จำนวนหน้า: 7
นอก: 1877-7058
ภาษา: English-Great Britain (EN-GB)
ดูในเว็บของวิทยาศาสตร์ | ดูบนเว็บไซต์ของสำนักพิมพ์ | บทความในเว็บของวิทยาศาสตร์
บทคัดย่อ
The measurements of plasma parameters from inside a plasma boundary give more accurate results. Current-voltage (I-V) characteristics were obtained from plasma measurements in an unbalanced magnetron sputtering system using a Langmuir probing technique which collects the measured data from a biased probe inserted inside the plasma. These I-V characteristics were used to analyze the plasma parameters such as plasma potential, electron temperature and electron density during sputter deposition of Ti thin films. The spatial distribution of the plasma was measured at different distances from the cathode target, such as 6, 8 and 10 cm. At 8 cm distance from the cathode target, the plasma parameters were investigated at different distances along the target radius such as 1, 2 and 3 cm. The plasma parameters of sputtered Ti thin films were investigated at different deposition conditions. The effect of the position of the single Langmuir probe and deposition conditions on the plasma parameters was studied. The plasma potential was found in the range of 4.4-5.0 V. An electron temperature was found in the range of 0.8-2.2 eV, corresponding to a plasma density in the range of 5.5ื1017-1.2ื1018 m-3. The plasma parameters strongly depended on the position of the probe and deposition conditions. ฉ 2010 Published by Elsevier Ltd.
คำสำคัญ
Electron temperature, Plasma density, Plasma parameters, Plasma potential
ติดต่อสอบถามเพิ่มเติมได้ที่