A polymer-rich re-deposition technique for non-volatile etching by-products in reactive ion etching systems
บทความในวารสาร
ผู้เขียน/บรรณาธิการ
กลุ่มสาขาการวิจัยเชิงกลยุทธ์
ไม่พบข้อมูลที่เกี่ยวข้อง
รายละเอียดสำหรับงานพิมพ์
รายชื่อผู้แต่ง: Limcharoen A., Pakpum C., Limsuwan P.
ผู้เผยแพร่: IOP Publishing
ปีที่เผยแพร่ (ค.ศ.): 2013
วารสาร: Chinese Physics Letters (0256-307X)
Volume number: 30
Issue number: 7
นอก: 0256-307X
eISSN: 1741-3540
ภาษา: English-Great Britain (EN-GB)
ดูในเว็บของวิทยาศาสตร์ | ดูบนเว็บไซต์ของสำนักพิมพ์ | บทความในเว็บของวิทยาศาสตร์
บทคัดย่อ
Re-deposition is a non-volatile etching by-product in reactive ion etching systems that is well known to cause dirt on etching work. In this study, we propose a novel etching method called the polymer-rich re-deposition technique, used particularly for improving the etched sidewall where the re-deposition is able to accumulate. This technique works by allowing the accumulated re-deposition on the etched sidewall to have a higher polymer species than the new compounds in the non-volatile etching by-product. The polymer-rich re-deposition is easy to remove along with the photo-resist mask residual at the photo-resist strip step using an isopropyl alcohol-based solution. The traditional, additional cleaning process step used to remove the re-deposition material is not required anymore, so this reduces the overall processing time. The technique is demonstrated on an Al2O3-TiC substrate by C4F8 plasma, and the EDX spectrum confirms that the polymer re-deposition has C and F atoms as the dominant atoms, suggesting that it is a C - F polymer re-deposition. ฉ 2013 Chinese Physical Society and IOP Publishing Ltd.
คำสำคัญ
ไม่พบข้อมูลที่เกี่ยวข้อง
ติดต่อสอบถามเพิ่มเติมได้ที่