Modeling of yeast proliferation lag-time irradiated by ultrasonic
บทความในวารสาร
ผู้เขียน/บรรณาธิการ
กลุ่มสาขาการวิจัยเชิงกลยุทธ์
ไม่พบข้อมูลที่เกี่ยวข้อง
รายละเอียดสำหรับงานพิมพ์
รายชื่อผู้แต่ง: Jomdecha C., Sritarathorn K.
ผู้เผยแพร่: American Scientific Publishers
ปีที่เผยแพร่ (ค.ศ.): 2013
วารสาร: Advanced Science Letters (1936-6612)
Volume number: 19
Issue number: 10
หน้าแรก: 3111
หน้าสุดท้าย: 3113
จำนวนหน้า: 3
นอก: 1936-6612
eISSN: 1936-7317
ภาษา: English-Great Britain (EN-GB)
บทคัดย่อ
This paper presents an alternative method for modeling of yeast lag phase using process identification to identify the effect of ultrasonic irradiation on yeast proliferation period. As of a transfer function representation, the models were constructed from experiment data in form of input-output relation. Growth parameters including lag time and growth rate were also estimated numerically to distinguish the effects of the ultrasonic irradiation. All of fitted data by the model were validated and shown more than 90% goodness of fits. Results show that the ultrasonic considerably influent to the lag time of the yeast growth. Generating the proper ultrasonic energies of 16% and 24% of power could reduce the lag time duration up to 30 min compared to the control condition. On the other hand, high ultrasonic energy of 32% could increase the lag time and reduce the yeast growth. ฉ 2013 American Scientific Publishers All rights reserved.
คำสำคัญ
Transfer function, Ultrasonic irradiation, Yeast lag time
ติดต่อสอบถามเพิ่มเติมได้ที่