Surface characteristics and damage of monocrystalline silicon induced by wire-EDM
บทความในวารสาร
ผู้เขียน/บรรณาธิการ
กลุ่มสาขาการวิจัยเชิงกลยุทธ์
ไม่พบข้อมูลที่เกี่ยวข้อง
รายละเอียดสำหรับงานพิมพ์
รายชื่อผู้แต่ง: Punturat J., Tangwarodomnukun V., Dumkum C.
ผู้เผยแพร่: Elsevier
ปีที่เผยแพร่ (ค.ศ.): 2014
วารสาร: Applied Surface Science (0169-4332)
Volume number: 320
หน้าแรก: 83
หน้าสุดท้าย: 92
จำนวนหน้า: 10
นอก: 0169-4332
eISSN: 1873-5584
ภาษา: English-Great Britain (EN-GB)
ดูในเว็บของวิทยาศาสตร์ | ดูบนเว็บไซต์ของสำนักพิมพ์ | บทความในเว็บของวิทยาศาสตร์
บทคัดย่อ
Wire-EDM has recently shown itself as an alternative approach for slicing silicon and other semiconductor materials without the presence of significant chipping as normally found in the traditional machining processes. However, the intensive electrical spark between a wire electrode and silicon can cause damage to the cut surface and subsurface in micro and nano-scale aspects. This paper presents the influence of major process parameters on the cut surface characteristics and damage in the wire-EDMing of silicon. An n-type monocrystalline silicon wafer was cut under different spark energy densities, duty cycles and dielectric flushing rates. Poor cut surface quality and high amount of electrode material deposition were obtained when low spark energy density, small duty cycle and low dielectric flushing rate were applied. Moreover, the amorphous and defective crystal structures of silicon were apparent under the low spark energy condition. The interactions between the wire-EDMing parameters and cut surface characteristics drawn in this study could have significances for the further development of EDM technology towards the fine-scale and damage-free processing of semiconductor materials. ฉ 2014 Elsevier B.V. All rights reserved.
คำสำคัญ
Surface characteristic, Wire-EDM
ติดต่อสอบถามเพิ่มเติมได้ที่