Luminescence properties and scintillation response in Ce3+-doped Y2Gd1Al5-xGaxO12 (x = 2, 3, 4) single crystals
บทความในวารสาร
ผู้เขียน/บรรณาธิการ
กลุ่มสาขาการวิจัยเชิงกลยุทธ์
ไม่พบข้อมูลที่เกี่ยวข้อง
รายละเอียดสำหรับงานพิมพ์
รายชื่อผู้แต่ง: Chewpraditkul W., Pánek D., Brůža P., Chewpraditkul W., Wanarak C., Pattanaboonmee N., Babin V., Bartosiewicz K., Kamada K., Yoshikawa A., Nikl M.
ผู้เผยแพร่: American Institute of Physics
ปีที่เผยแพร่ (ค.ศ.): 2014
วารสาร: Journal of Applied Physics (0021-8979)
Volume number: 116
Issue number: 8
นอก: 0021-8979
eISSN: 1089-7550
ภาษา: English-Great Britain (EN-GB)
ดูในเว็บของวิทยาศาสตร์ | ดูบนเว็บไซต์ของสำนักพิมพ์ | บทความในเว็บของวิทยาศาสตร์
บทคัดย่อ
The compositional dependence of luminescence properties and scintillation response were investigated in Ce3+-doped Y2Gd 1Al5-xGaxO12 (x=2, 3, 4) single crystals. The Gd3+ → Ce3+ energy transfer was evidenced by photoluminescence excitation spectra of Ce3+ emission. With increasing Ga content in the garnet host, the Ce3+ luminescence from the lowest 5d level (5d1) is shifted toward higher energy due to the decrease in the crystal field splitting of the 5d levels. Light yield (LY) and its dependence on the amplifier shaping time were measured under excitation with γ-rays. High LY value of ∼38000ph/MeV was obtained for a Y 2Gd1Al3Ga2O12:Ce sample. Scintillation decay was measured with an extended dynamical and temporal scale under the nanosecond pulse soft X-ray excitation. The decrease of both LY value and relative contribution of slower decay component in the scintillation response was observed with increasing Ga content in the garnet host. © 2014 AIP Publishing LLC.
คำสำคัญ
ไม่พบข้อมูลที่เกี่ยวข้อง
ติดต่อสอบถามเพิ่มเติมได้ที่