Trapping Electron-Assisted Magnetic Recording Enhancement via Dielectric Underlayer Media

บทความในวารสาร

ผู้เขียน/บรรณาธิการ

กลุ่มสาขาการวิจัยเชิงกลยุทธ์

ไม่พบข้อมูลที่เกี่ยวข้อง

รายละเอียดสำหรับงานพิมพ์

รายชื่อผู้แต่ง: Aksornniem S., Silapunt R., Vopson M.M.

ผู้เผยแพร่: Institute of Electrical and Electronics Engineers

ปีที่เผยแพร่ (ค.ศ.): 2014

วารสาร: IEEE Transactions on Magnetics (0018-9464)

Volume number: 50

Issue number: 10

นอก: 0018-9464

eISSN: 1941-0069

URL: https://www.scopus.com/inward/record.uri?eid=2-s2.0-84957552309&doi=10.1109%2fTMAG.2014.2331024&partnerID=40&md5=c949f5f89ed3bdb84f64218eeaae649c

ภาษา: English-Great Britain (EN-GB)

ดูในเว็บของวิทยาศาสตร์ | ดูบนเว็บไซต์ของสำนักพิมพ์ | บทความในเว็บของวิทยาศาสตร์

บทคัดย่อ

Trapping electron-assisted magnetic recording (TEAMR) has been recently proposed as a method of lowering the magnetic anisotropy of magnetic data storage media during write cycles. In this paper, we studied theoretically the TEAMR feasibility when an additional dielectric nano-underlayer is incorporated within the recording medium. We report a comparative study between a standard TEAMR data storage system and a dielectric underlayer TEAMR system. Our results indicate a substantial improvement in the electron trapping mechanism when a dielectric underlayer is used. A direct consequence of the proposed system is the effective reduction of the local magnetic coercive field when using this modified TEAMR design, which opens up the possibility of future developments based on TEAMR technology. ฉ 2015 IEEE.

คำสำคัญ

Advanced magnetic data storage, electron trapping-assisted recording, multiferroic data storage, perpendicular magnetic recording thin films, trapping electron-assisted magnetic recording (TEAMR)