Investigation of process performances and cut surface characteristics in the wire-edming of silicon

Conference proceedings article

ผู้เขียน/บรรณาธิการ

กลุ่มสาขาการวิจัยเชิงกลยุทธ์

ไม่พบข้อมูลที่เกี่ยวข้อง

รายละเอียดสำหรับงานพิมพ์

รายชื่อผู้แต่ง: Punturat J., Tangwarodomnukun V., Dumkum C.

ผู้เผยแพร่: Trans Tech Publications

ปีที่เผยแพร่ (ค.ศ.): 2014

Volume number: 845

หน้าแรก: 950

หน้าสุดท้าย: 954

จำนวนหน้า: 5

ISBN: 9783037859360

นอก: 1022-6680

eISSN: 1662-8985

URL: https://www.scopus.com/inward/record.uri?eid=2-s2.0-84891555044&doi=10.4028%2fwww.scientific.net%2fAMR.845.950&partnerID=40&md5=cdb700a4dc4124aca052406226f03778

ภาษา: English-Great Britain (EN-GB)

ดูในเว็บของวิทยาศาสตร์ | ดูบนเว็บไซต์ของสำนักพิมพ์ | บทความในเว็บของวิทยาศาสตร์

บทคัดย่อ

Wire-EDMing process has been more accepted for cutting and slicing silicon wafer as it can provide a cut with less crack and chipping due to low effect of mechanical stresses. In order to provide a deep analysis of the process, the wire-EDMing performances and cut surface characteristics of p-type (100) monocrystalline silicon wafer have been experimentally investigated in this study. The results have shown that wide kerf width, high material removal rate, large electrode wear and rough cut surface can be obtained under the condition of high open voltage and rough cutting mode. Some micrographs of cut surface morphology have been also reported and discussed, where many craters and small holes can be apparently seen on the machined surface. ฉ (2014) Trans Tech Publications, Switzerland.

คำสำคัญ

Electrode wear, Material removal rate, Surface morphology