Optical and scintillation properties of Ce3+-doped YGd2Al5-xGaxO12 (x=2,3,4) single crystal scintillators
บทความในวารสาร
ผู้เขียน/บรรณาธิการ
กลุ่มสาขาการวิจัยเชิงกลยุทธ์
ไม่พบข้อมูลที่เกี่ยวข้อง
รายละเอียดสำหรับงานพิมพ์
รายชื่อผู้แต่ง: Chewpraditkul W., Brůža P., Pánek D., Pattanaboonmee N., Wantong K., Chewpraditkul W., Babin V., Bartosiewicz K., Kamada K., Yoshikawa A., Nikl M.
ผู้เผยแพร่: Elsevier
ปีที่เผยแพร่ (ค.ศ.): 2016
วารสาร: Journal of Luminescence (0022-2313)
Volume number: 169
หน้าแรก: 43
หน้าสุดท้าย: 50
จำนวนหน้า: 8
นอก: 0022-2313
eISSN: 1872-7883
ภาษา: English-Great Britain (EN-GB)
ดูในเว็บของวิทยาศาสตร์ | ดูบนเว็บไซต์ของสำนักพิมพ์ | บทความในเว็บของวิทยาศาสตร์
บทคัดย่อ
The optical and scintillation properties of Ce3+-doped YGd2Al5-xGaxO12 (x=2,3,4) single crystals were investigated. With increasing Ga content in the garnet host, the 5d1 absorption and emission bands shift toward higher energy due to the decrease in the crystal field splitting of the 5d levels. Temperature dependences of absorption and emission spectra and of photoluminescence decays of both prompt and delayed components were measured. Light yield (LY) and its dependence on an amplifier shaping time were measured under excitation with γ-rays. High LY value of 38,000 photons/MeV was obtained for a YGd2Al2Ga3O12:Ce sample. Scintillation decay was measured with an extended dynamical and temporal scale under the nanosecond-pulsed soft X-ray excitation. The relative content of the fastest component in the scintillation response increases with increasing Ga content. © 2015 Elsevier B.V. Allrightsreserved.
คำสำคัญ
Y3Al5O12:Ce, YGd2Al5-xGaxO12:Ce
ติดต่อสอบถามเพิ่มเติมได้ที่