Magnetic Switching in BPM, TEAMR, and Modified TEAMR Using Dielectric Underlayer Media

Conference proceedings article

ผู้เขียน/บรรณาธิการ

กลุ่มสาขาการวิจัยเชิงกลยุทธ์

ไม่พบข้อมูลที่เกี่ยวข้อง

รายละเอียดสำหรับงานพิมพ์

รายชื่อผู้แต่ง: Aksornniem S., Evans R.F.L., Chantrell R.W., Silapunt R.

ผู้เผยแพร่: Institute of Electrical and Electronics Engineers

ปีที่เผยแพร่ (ค.ศ.): 2016

Volume number: 52

Issue number: 2

นอก: 0018-9464

eISSN: 1941-0069

URL: https://www.scopus.com/inward/record.uri?eid=2-s2.0-84962158354&doi=10.1109%2fTMAG.2015.2490626&partnerID=40&md5=86cefdf4d3c127c347c68d63cc30e3e1

ภาษา: English-Great Britain (EN-GB)

ดูในเว็บของวิทยาศาสตร์ | ดูบนเว็บไซต์ของสำนักพิมพ์ | บทความในเว็บของวิทยาศาสตร์

บทคัดย่อ

In this paper, we study the coercivity of bit-patterned media, trapping electron-assisted magnetic recording (TEAMR), and modified TEAMR (M-TEAMR) media using a dielectric underlayer. The VAMPIRE magnetic simulator is used to model three structures of recording bits and to study the M - H loops using an atomistic spin model. The results show that the magnetic switching reduction in M-TEAMR and TEAMR depends on the bit size. The percentage of magnetic switching reduction in M-TEAMR is also larger than TEAMR for all bit sizes. For a bit size of 1.6ื 1.6 ื 3.2 nm3, the percentage of magnetic switching reduction in M-TEAMR is approximately four times higher than that in TEAMR. ฉ 1965-2012 IEEE.

คำสำคัญ

atomistic spin model, electron trapping assisted recording, magnetic data storage device, TEAMR, VAMPIRE magnetic simulator