Effects of rf power on chemical and physical structure of polytetrafluoroethylene thin films
บทความในวารสาร
ผู้เขียน/บรรณาธิการ
กลุ่มสาขาการวิจัยเชิงกลยุทธ์
ไม่พบข้อมูลที่เกี่ยวข้อง
รายละเอียดสำหรับงานพิมพ์
รายชื่อผู้แต่ง: Rujisamphan N., Murray R.E., Shah S.I., Supasai T.
ปีที่เผยแพร่ (ค.ศ.): 2017
วารสาร: Chiang Mai Journal of Science (0125-2526)
Volume number: 44
Issue number: 2
หน้าแรก: 640
หน้าสุดท้าย: 648
จำนวนหน้า: 9
นอก: 0125-2526
ภาษา: English-Great Britain (EN-GB)
ดูในเว็บของวิทยาศาสตร์ | บทความในเว็บของวิทยาศาสตร์
บทคัดย่อ
Polytetrafluoroethylene (PTFE) thin films were prepared by rf magnetron sputtering in argon plasma. The effects of rf power (10 to 100 W) on the chemical and physical structures of PTFE thin films were studied. X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) results showed that small amounts of CF3 (1.75%) were observed at rf power of 10 W. At increased rf power (25-100 W), the intensities of CF2 and C-CF groups dramatically increased accompanied with water contact angle increasing from 78ฐ to 87ฐ. The atomic ratio of fluorine and carbon (F/C) increases from 0.36 to 1.65 with increasing rf power. Fourier transform infrared spectroscopy (FTIR) results showed the overlap of asymmetric and symmetric stretching of CF2 at all rf powers, while the C=C bonding was clearly visible at rf powers from 25 to 100 W. All PTFE thin films showed an amorphous structure and were colorless with almost 93 percent transmittance in visible wavelength. ฉ 2017, Chiang Mai University. All rights reserved.
คำสำคัญ
Contact angle measurement, Polytetrafluoroethylene thin film, RF sputtering
ติดต่อสอบถามเพิ่มเติมได้ที่