Luminescence and light yield of (Gd2Y)(Ga3Al2)O12:Pr3+ single crystal scintillators

บทความในวารสาร

ผู้เขียน/บรรณาธิการ

กลุ่มสาขาการวิจัยเชิงกลยุทธ์

ไม่พบข้อมูลที่เกี่ยวข้อง

รายละเอียดสำหรับงานพิมพ์

รายชื่อผู้แต่ง: Lertloypanyachai P., Pathumrangsan N., Sreebunpeng K., Pattanaboonmee N., Chewpraditkul W., Yoshikawa A., Kamada K., Nikl M.

ผู้เผยแพร่: Elsevier

ปีที่เผยแพร่ (ค.ศ.): 2017

วารสาร: Journal of Crystal Growth (0022-0248)

Volume number: 468

หน้าแรก: 369

หน้าสุดท้าย: 372

จำนวนหน้า: 4

นอก: 0022-0248

eISSN: 1873-5002

URL: https://www.scopus.com/inward/record.uri?eid=2-s2.0-85008657289&doi=10.1016%2fj.jcrysgro.2016.10.018&partnerID=40&md5=17739e06f986bc7affb5e401004995da

ภาษา: English-Great Britain (EN-GB)

ดูในเว็บของวิทยาศาสตร์ | ดูบนเว็บไซต์ของสำนักพิมพ์ | บทความในเว็บของวิทยาศาสตร์

บทคัดย่อ

Praseodymium-doped (Gd2Y)(Ga3Al2)O12 (GYGAG: Pr) single crystals are grown by the micro-pulling down method with different Pr concentrations. The energy transfer process between Pr3+ and Gd3+ is investigated by photoluminescence excitation (PLE) and emission (PL) spectra measurements. Photoelectron yield measurements are carried out using photomultiplier. At 662 keV γ-rays, photoelectron yield of 2520 phe/MeV obtained for the GYGAG: Pr (0.01%) sample is larger than that of 1810 phe/MeV obtained for BGO crystal. Light yield degradation for the GYGAG: Pr scintillators is presumably due to the energy transfer from 5d state of Pr3+ to 4f state of Gd3+ together with the concentration quenching in the Gd3+-sublattice. © 2016 Elsevier B.V.

คำสำคัญ

A1.Photoelectron yield, A1.Scintillation, B1.(Gd2Y)(Ga3Al2)O12:Pr