Temperature dependent transient surface photovoltage spectroscopy of a Cu1.95Zn1.1Sn0.96Se4 kesterite single phase powder

บทความในวารสาร

ผู้เขียน/บรรณาธิการ

กลุ่มสาขาการวิจัยเชิงกลยุทธ์

ไม่พบข้อมูลที่เกี่ยวข้อง

รายละเอียดสำหรับงานพิมพ์

รายชื่อผู้แต่ง: Dittrich Th., Valle Rios L.E., Kapil S., Gurieva G., Rujisamphan N., Schorr S.

ผู้เผยแพร่: American Institute of Physics

ปีที่เผยแพร่ (ค.ศ.): 2017

วารสาร: Applied Physics Letters (0003-6951)

Volume number: 110

Issue number: 2

นอก: 0003-6951

eISSN: 1077-3118

URL: https://www.scopus.com/inward/record.uri?eid=2-s2.0-85009753486&doi=10.1063%2f1.4973539&partnerID=40&md5=b7a53e2199bf530985e2fa0e6fe7ca54

ภาษา: English-Great Britain (EN-GB)

ดูในเว็บของวิทยาศาสตร์ | ดูบนเว็บไซต์ของสำนักพิมพ์ | บทความในเว็บของวิทยาศาสตร์

บทคัดย่อ

An off-stoichiometric but single phase Cu1.95Zn1.1Sn0.96Se4 kesterite powder was investigated by temperature dependent transient surface photovoltage (SPV) spectroscopy. SPV signals excited at different wavelengths were transformed into SPV spectra that depended on the response time of measurement. Shallow electronic states and states with transition energies at 0.83 eV or 0.78… 0.9 eV were distinguished. The temperature dependence of the band gap of Cu1.95Zn1.1Sn0.96Se4 was obtained. Results were discussed on the basis of defects in Cu-poor and Zn-rich kesterite. © 2017 Author(s).

คำสำคัญ

ไม่พบข้อมูลที่เกี่ยวข้อง