Scintillation yield and temperature dependence of radioluminescence of (Lu,Gd)3Al5O12:Ce garnet crystals

บทความในวารสาร


ผู้เขียน/บรรณาธิการ


กลุ่มสาขาการวิจัยเชิงกลยุทธ์


รายละเอียดสำหรับงานพิมพ์

รายชื่อผู้แต่งChewpraditkul, Weerapong; Wantong, Kriangkrai; Chewpraditkul, Warut; Yawai, Nattasuda; Kamada, Kei;
Yoshikawa, Akira; Witkowski, Marcin E.; Makowski, Michal; Drozdowski, Winicjusz; Nikl, Martin;

ผู้เผยแพร่Elsevier

ปีที่เผยแพร่ (ค.ศ.)2021

Volume number120

นอก0925-3467

eISSN1873-1252

URLhttps://www.scopus.com/inward/record.uri?eid=2-s2.0-85112538085&doi=10.1016%2fj.optmat.2021.111471&partnerID=40&md5=1fdf61a5966bb7e23abad0fea68cae99

ภาษาEnglish-Great Britain (EN-GB)


ดูในเว็บของวิทยาศาสตร์ | ดูบนเว็บไซต์ของสำนักพิมพ์ | บทความในเว็บของวิทยาศาสตร์


บทคัดย่อ

The scintillation characteristics of Lu3-xGdxAl5O12:Ce (x = 1, 1.25, 1.75, 2, and 2.25) garnet crystals were investigated. With increasing Gd content, the Ce3+ 5d1 → 4f luminescence band was red-shifted due to an increase in the crystal field splitting of the 5d levels. In addition, both the light yield value and contribution of fast scintillation component increased. We attribute this effect to the reduced electron trapping effects of shallow traps buried in the bottom of the conduction band, the lower-energy shift of which is due to the increasing Gd content. A decrease of scintillation yield at the lowest temperature region observed for all samples, showing large thermoluminescence peaks in the same temperature range, can be caused by the localization of electrons at shallow traps. Afterglow signals observed at 10 K for all samples after X-rays irradiation can be explained by quantum tunneling of electrons from nearby traps towards the holes captured at the Ce3+ recombination centers. © 2021 Elsevier B.V.


คำสำคัญ

Multicomponent garnet


อัพเดทล่าสุด 2023-17-10 ถึง 07:40