Development of Ar + O2 + Zn Powder Mixing Gas at Low-pressure High-frequency Plasma Chemical Vapor
Deposition Process System

Conference proceedings article


ผู้เขียน/บรรณาธิการ


กลุ่มสาขาการวิจัยเชิงกลยุทธ์


รายละเอียดสำหรับงานพิมพ์

รายชื่อผู้แต่ง: W. Poonthong, N. Mungkung, N. Kasayapanand, T. Yuji, T. Bouno, T. Haraguchi

ปีที่เผยแพร่ (ค.ศ.): 2023

หน้าแรก: 115

หน้าสุดท้าย: 116

จำนวนหน้า: 2

ภาษา: English-Great Britain (EN-GB)


บทคัดย่อ

The chemical vapor deposition has been used to fabricate zinc oxide thin films on silicon substrates under argon + oxygen + mixing zinc powder gas on times deposition from 10 - 30 min. There have been found that the obtained samples presented the difference adhesion of thickness zinc oxide films on silicon substrates affecting to the electrical properties.


คำสำคัญ

ไม่พบข้อมูลที่เกี่ยวข้อง


อัพเดทล่าสุด 2024-16-02 ถึง 23:05