การศึกษาการเคลือบฟิล์มบางไทเทเนียมไดออกไซด์ที่มีโครงสร้างแบบอสัณฐานด้วยวิธีอาร์เอฟสปัตเตอริงเพื่อเพิ่มความต้านทานการกัดกร่อน

งานวิจัยนี้เป็นการศึกษาการใช้กระบวนการ RF-sputtering เพื่อสร้างฟิล์มบางไทเทเนียมไดออกไซด์ (TiO₂) ที่มีโครงสร้างแบบอสัณฐาน โดยมีวัตถุประสงค์เพื่อเพิ่มความต้านทานการกัดกร่อนของพื้นผิวอะลูมิเนียม โดยได้ทำการปรับเปลี่ยนเงื่อนไขของการสปัตเตอร์ ได้แก่ การเลือกใช้วัสดุต้นกำเนิดเป็นไทเทเนียมหรือไทเทเนียมไดออกไซด์ (Ti หรือ TiO₂) การใช้บรรยากาศก๊าซภายในห้องสปัตเตอร์เป็นอาร์กอนหรืออาร์กอนผสมออกซิเจน (Ar หรือ Ar+O₂) และการอบความร้อนหลังการสปัตเตอร์ (Post-sputtering annealing) พื้นผิวของฟิล์มบาง TiO₂ ที่ได้ถูกตรวจสอบด้วยกล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอนแบบส่องกราด (SEM) เพื่อศึกษาลักษณะพื้นผิว การวิเคราะห์ธาตุด้วยเทคนิค EDS (Energy Dispersive Spectroscopy) การวิเคราะห์โครงสร้างผลึกด้วยเทคนิค X-ray Diffraction (XRD) และการทดสอบความต้านทานการกัดกร่อนด้วยการพ่นละอองเกลือเป็นเวลา 24 ชั่วโมง (Salt Spray Test) ผลการทดลองพบว่าการสปัตเตอร์โดยใช้เป้าหมายไทเทเนียมในบรรยากาศก๊าซอาร์กอนให้ปริมาณฟิล์ม TiO₂ สูงที่สุด การอบที่อุณหภูมิ 200 °C ทำให้ความเป็นผลึกลดลงและได้ฟิล์มที่มีโครงสร้างแบบไม่เป็นผลึกมากขึ้น ที่สำคัญการทดสอบการพ่นละอองเกลือแสดงให้เห็นว่าฟิล์มที่ได้ภายใต้เงื่อนไขดังกล่าวไม่เกิดความเสียหายจากการกัดกร่อน ดังนั้นฟิล์ม TiO₂ ที่ผ่านการอบและถูกสปัตเตอร์ด้วยเป้าไทเทเนียมในบรรยากาศอาร์กอนจึงแสดงให้เห็นถึงความต้านทานการกัดกร่อนที่ยอดเยี่ยม