Influence of oxygen flow rate on properties of indium tin oxide thin films prepared by ion-assisted electron beam evaporation

บทความในวารสาร

ผู้เขียน/บรรณาธิการ

กลุ่มสาขาการวิจัยเชิงกลยุทธ์

ไม่พบข้อมูลที่เกี่ยวข้อง

รายละเอียดสำหรับงานพิมพ์

รายชื่อผู้แต่ง: Pokaipisit A., Horprathum M., Limsuwan P.

ผู้เผยแพร่: Prince of Songkla University

ปีที่เผยแพร่ (ค.ศ.): 2009

วารสาร: Songklanakarin Journal of Science and Technology (SJST) (0125-3395)

Volume number: 31

Issue number: 5

หน้าแรก: 577

หน้าสุดท้าย: 581

จำนวนหน้า: 5

นอก: 0125-3395

URL: https://www.scopus.com/inward/record.uri?eid=2-s2.0-77952154158&partnerID=40&md5=99aea1887c931571080ecc8c4f837287

ภาษา: English-Great Britain (EN-GB)

บทคัดย่อ

Indium tin oxide (ITO) thin films with various oxygen flow rates were deposited onto glass substrates by ion-assisted electron beam evaporation. All other deposition parameters were kept constant. The electrical and optical properties of the ITO thin films have been investigated as a function of oxygen flow rate. Optical transmittance and optical band gap energy were measured by spectrophotometer. Sheet resistance was measured by four-point probe method. It has been found that an oxygen flow rate at 12 sccm was suitable for improving the properties of ITO thin films. The resistivity and optical transmittance of ITO thin films were 7.2×10-4 Ω-cm and 84%, respectively. The optical band gap was 4.19 eV.

คำสำคัญ

Ion-assisted deposition