Low temperature synthesized indium tin oxide nanowires

บทความในวารสาร

ผู้เขียน/บรรณาธิการ

กลุ่มสาขาการวิจัยเชิงกลยุทธ์

ไม่พบข้อมูลที่เกี่ยวข้อง

รายละเอียดสำหรับงานพิมพ์

รายชื่อผู้แต่ง: Jutarosaga T., Smith S.M., Liang Y.

ผู้เผยแพร่: Prince of Songkla University

ปีที่เผยแพร่ (ค.ศ.): 2009

วารสาร: Songklanakarin Journal of Science and Technology (SJST) (0125-3395)

Volume number: 31

Issue number: 1

หน้าแรก: 111

หน้าสุดท้าย: 115

จำนวนหน้า: 5

นอก: 0125-3395

URL: https://www.scopus.com/inward/record.uri?eid=2-s2.0-67650896015&partnerID=40&md5=426e10611fab09fac44fc23758455e79

ภาษา: English-Great Britain (EN-GB)

บทคัดย่อ

Directional indium tin oxide (ITO) nanowires were successfully grown on SiO2/Si at temperatures ranging from approximately 640oC to 800oC and pressure of about 300 mtorr using SnO and In powders. The results show that growth temperature strongly affects the morphology and composition of ITO nanostructures. The X-ray diffraction indicates the presence of both cubic In2O3 and tetragonal SnO2 phases in ITO nanowires. Energy dispersive X-ray spectroscopy shows that the atomic ratio of Sn/In decreases with the increase of growth temperature. The observed particles at the tip of the nanowires indicate that the growth of these nanowires is facilitated by the catalyst-assisted vapor-liquid-solid growth mechanism.

คำสำคัญ

Nanostructure materials, Vapor-liquid-solid growth mechanism