Vacuum and air annealing effects on properties of indium tin oxide films prepared by ion-assisted electron beam evaporation

บทความในวารสาร

ผู้เขียน/บรรณาธิการ

กลุ่มสาขาการวิจัยเชิงกลยุทธ์

ไม่พบข้อมูลที่เกี่ยวข้อง

รายละเอียดสำหรับงานพิมพ์

รายชื่อผู้แต่ง: Pokaipisit A., Horprathum M., Limsuwan P.

ผู้เผยแพร่: IOP Publishing

ปีที่เผยแพร่ (ค.ศ.): 2008

วารสาร: Japanese Journal of Applied Physics (0021-4922)

Volume number: 47

Issue number: 6 PART 1

หน้าแรก: 4692

หน้าสุดท้าย: 4695

จำนวนหน้า: 4

นอก: 0021-4922

eISSN: 1347-4065

URL: https://www.scopus.com/inward/record.uri?eid=2-s2.0-55049104837&doi=10.1143%2fJJAP.47.4692&partnerID=40&md5=1048c2103a501559f1651ac78655116d

ภาษา: English-Great Britain (EN-GB)

ดูในเว็บของวิทยาศาสตร์ | ดูบนเว็บไซต์ของสำนักพิมพ์ | บทความในเว็บของวิทยาศาสตร์

บทคัดย่อ

Indium tin oxide (ITO) films were deposited on glass substrates by ion-assisted electron beam evaporation, followed by annealing in vacuum and air at different temperatures from 200 to 350 °C with an interval of 50 °C for 1 h. The deposited films were analyzed by a four-point probe method, Hall effect measurement, an X-ray diffraction technique, spectrophotometry, and atomic force microscopy. Results show that the electrical resistivity of ITO films depends on annealing temperature. Its lowest value of 1.07 × 10 -4 Ωcm is obtained at an annealing temperature of 350 °C in vacuum. The optical transmittance of ITO films with a thickness of 500 nm for annealing in air is higher than that in vacuum. The optical band gap and grain size increase with increasing annealing temperature. ©2008 The Japan Society of Applied Physics.

คำสำคัญ

Electron beam evaporation