Surface modification of silicon wafer by low-pressure high-frequency plasma chemical vapor deposition method

Conference proceedings article

ผู้เขียน/บรรณาธิการ

ณรงค์ มั่งคั่ง

กลุ่มสาขาการวิจัยเชิงกลยุทธ์

ไม่พบข้อมูลที่เกี่ยวข้อง

รายละเอียดสำหรับงานพิมพ์

รายชื่อผู้แต่ง: Kataoka H., Mungkung N., Yuji T., Kawano M., Kiyota Y., Uesugi D., Nakabayashi K., Suzaki Y., Shibata H., Kashihara N., Sakai K., Bouno T., Akatsuka H.

ปีที่เผยแพร่ (ค.ศ.): 2010

หน้าแรก: 505

หน้าสุดท้าย: 508

จำนวนหน้า: 4

ISBN: 9781424483655

นอก: 1093-2941

eISSN: 1093-2941

URL: https://www.scopus.com/inward/record.uri?eid=2-s2.0-78650458099&doi=10.1109%2fDEIV.2010.5625758&partnerID=40&md5=51e4ab96e78480d005db1e3c437ddd21

ภาษา: English-Great Britain (EN-GB)

ดูบนเว็บไซต์ของสำนักพิมพ์

บทคัดย่อ

The writers are developing the production process device of thin-film material for the flexible solar cells using the high-frequency plasma chemical vapor deposition (CVD) method. In order to clarify the characteristics of the device, plasma treatment is applied on the Si wafer surface and basic characteristic of plasma is found by the analysis of the B doped p-type (100) Si wafer surface using X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) and contact angle measuring gauge. ฉ2010 IEEE.

คำสำคัญ