Characterization of SiC in DLC/a-Si films prepared by pulsed filtered cathodic arc using Raman spectroscopy and XPS

บทความในวารสาร

ผู้เขียน/บรรณาธิการ

กลุ่มสาขาการวิจัยเชิงกลยุทธ์

ไม่พบข้อมูลที่เกี่ยวข้อง

รายละเอียดสำหรับงานพิมพ์

รายชื่อผู้แต่ง: Srisang C., Asanithi P., Siangchaew K., Pokaipisit A., Limsuwan P.

ผู้เผยแพร่: Elsevier

ปีที่เผยแพร่ (ค.ศ.): 2012

วารสาร: Applied Surface Science (0169-4332)

Volume number: 258

Issue number: 15

หน้าแรก: 5605

หน้าสุดท้าย: 5609

จำนวนหน้า: 5

นอก: 0169-4332

eISSN: 1873-5584

URL: https://www.scopus.com/inward/record.uri?eid=2-s2.0-84859159435&doi=10.1016%2fj.apsusc.2012.02.036&partnerID=40&md5=d5d2fe9c362377eafe3d5b794db041c7

ภาษา: English-Great Britain (EN-GB)

ดูในเว็บของวิทยาศาสตร์ | ดูบนเว็บไซต์ของสำนักพิมพ์ | บทความในเว็บของวิทยาศาสตร์

บทคัดย่อ

DLC/a-Si films were deposited on germanium substrates. a-Si film was initially deposited as a seed layer on the substrate using DC magnetron sputtering. DLC film was then deposited on the a-Si layer via a pulsed filtered cathodic arc (PFCA) system. In situ ellipsometry was used to monitor the thicknesses of the growth films, allowing a precise control over the a-Si and DLC thicknesses of 6 and 9 nm, respectively. It was found that carbon atoms implanting on a-Si layer act not only as a carbon source for DLC formation, but also as a source for SiC formation. The Raman peak positions at 796 cm -1 and 972 cm -1 corresponded to the LO and TO phonon modes of SiC, respectively, were observed. The results were also confirmed using TEM, XPS binding energy and XPS depth profile analysis. ฉ 2012 Elsevier B.V. All rights reserved.

คำสำคัญ

Pulsed filtered cathodic arc, Silicon carbide