Trimming lithography part II: An effect of trimming distance to the sub-resolution pattern quality

Conference proceedings article

ผู้เขียน/บรรณาธิการ

กลุ่มสาขาการวิจัยเชิงกลยุทธ์

ไม่พบข้อมูลที่เกี่ยวข้อง

รายละเอียดสำหรับงานพิมพ์

รายชื่อผู้แต่ง: Sriklat A., Atthi N., Jeamsaksiri W., Hruanun C., Poyai A., Silapunt R.

ผู้เผยแพร่: Hindawi

ปีที่เผยแพร่ (ค.ศ.): 2011

หน้าแรก: 46

หน้าสุดท้าย: 49

จำนวนหน้า: 4

ISBN: 9781457704246

นอก: 0146-9428

eISSN: 1745-4557

URL: https://www.scopus.com/inward/record.uri?eid=2-s2.0-79961236485&doi=10.1109%2fECTICON.2011.5947767&partnerID=40&md5=8d81d294b1351a835711b30abcaa8601

ภาษา: English-Great Britain (EN-GB)

ดูบนเว็บไซต์ของสำนักพิมพ์

บทคัดย่อ

Trimming lithography acts as one of the candidates for next generation lithography. The pattern size can be scaled by adjusting the trim distance that is much bigger than an original design linewidth. The photoresist feature size can be scaled down to 0.18 μm with the 0.9 μm mask and the 0.5 μm resolution exposure tool. However, a pattern density of the line/space pattern is lower than that of other patterning techniques. Different pattern qualities between dense and isolated patterns are explained by a diffraction of the waveform transmitted through the mask slit. © 2011 IEEE.

คำสำคัญ

Moore's law, Next generation lithography, Pattern shrinkage, Sub-resolution patterning, Trimming lithography