Surface modification of Si wafer by low-pressure high-frequency plasma chemical vapor deposition method

Conference proceedings article

ผู้เขียน/บรรณาธิการ

กลุ่มสาขาการวิจัยเชิงกลยุทธ์

ไม่พบข้อมูลที่เกี่ยวข้อง

รายละเอียดสำหรับงานพิมพ์

รายชื่อผู้แต่ง: Yuji T., Mungkung N., Kiyota Y., Uesugi D., Kawano M., Nakabayashi K., Kataoka H., Suzaki Y., Kashihara N., Akatsuka H.

ผู้เผยแพร่: Institute of Electrical and Electronics Engineers

ปีที่เผยแพร่ (ค.ศ.): 2011

Volume number: 39

Issue number: 6 PART 1

หน้าแรก: 1427

หน้าสุดท้าย: 1431

จำนวนหน้า: 5

นอก: 0093-3813

eISSN: 1939-9375

URL: https://www.scopus.com/inward/record.uri?eid=2-s2.0-79958847473&doi=10.1109%2fTPS.2011.2140383&partnerID=40&md5=7f79d9eccf1344e336a537e4f9170fbc

ภาษา: English-Great Britain (EN-GB)

ดูในเว็บของวิทยาศาสตร์ | ดูบนเว็บไซต์ของสำนักพิมพ์ | บทความในเว็บของวิทยาศาสตร์

บทคัดย่อ

In recent years, a flexible type of solar cell that can maintain various shape changes and that is applicable to virtually all products has attracted global attention. In the present research, we describe equipment for the production of thin-film material for flexible type solar cells that uses a high-frequency plasma chemical vapor deposition (CVD) method. This equipment is now at the development stage, and in order to clarify the cardinal trait of the plasma, we performed a plasma treatment on the surface of a Si wafer. Using X-ray photoelectron spectroscopy and contact angle meter measurements, we identified one index that clarifies the simple cardinal trait of plasma CVD. ฉ 2011 IEEE.

คำสำคัญ

Argon + oxygen mixture gas, MirroTron sputtering method, Poly (ethylene naphthalate) film, Solar Cell, thin films