Raman spectroscopy of DLC/a-Si bilayer film prepared by pulsed filtered cathodic arc
บทความในวารสาร
ผู้เขียน/บรรณาธิการ
กลุ่มสาขาการวิจัยเชิงกลยุทธ์
ไม่พบข้อมูลที่เกี่ยวข้อง
รายละเอียดสำหรับงานพิมพ์
รายชื่อผู้แต่ง: Srisang C., Asanithi P., Siangchaew K., Limsuwan S., Pokaipisit A., Limsuwan P.
ผู้เผยแพร่: Hindawi
ปีที่เผยแพร่ (ค.ศ.): 2012
วารสาร: Journal of Nanomaterials (1687-4110)
Volume number: 2012
นอก: 1687-4110
eISSN: 1687-4129
ภาษา: English-Great Britain (EN-GB)
ดูในเว็บของวิทยาศาสตร์ | ดูบนเว็บไซต์ของสำนักพิมพ์ | บทความในเว็บของวิทยาศาสตร์
บทคัดย่อ
DLC/a-Si bilayer film was deposited on germanium substrate. The a-Si layer, a seed layer, was firstly deposited on the substrate using DC magnetron sputtering and DLC layer was then deposited on the a-Si layer using pulsed filtered cathodic arc method. The bilayer films were deposited with different DLC/a-Si thickness ratios, including 2/2, 2/6, 4/4, 6/2, and 9/6. The effect of DLC/a-Si thickness ratios on the sp3 content of DLC was analyzed by Raman spectroscopy. The results show that a-Si layer has no effect on the structure of DLC film. Furthermore, the upper shift in G wavenumber and the decrease in I D / I G inform that sp3 content of the film is directly proportional to DLC thickness. The plot modified from the three-stage model informed that the structural characteristics of DLC/a-Si bilayer films are located close to the tetrahedral amorphous carbon. This information may be important for analyzing and developing bilayer protective films for future hard disk drive. ฉ 2012 C. Srisang et al.
คำสำคัญ
ไม่พบข้อมูลที่เกี่ยวข้อง
ติดต่อสอบถามเพิ่มเติมได้ที่