Fabrication of thin nanoporous alumina templates on semiconductor substrates
บทความในวารสาร
ผู้เขียน/บรรณาธิการ
กลุ่มสาขาการวิจัยเชิงกลยุทธ์
ไม่พบข้อมูลที่เกี่ยวข้อง
รายละเอียดสำหรับงานพิมพ์
รายชื่อผู้แต่ง: Denchitcharoen S., Limsuwan P.
ปีที่เผยแพร่ (ค.ศ.): 2013
วารสาร: Chiang Mai Journal of Science (0125-2526)
Volume number: 40
Issue number: 6 SPEC. ISSUE 2
หน้าแรก: 947
หน้าสุดท้าย: 956
จำนวนหน้า: 10
นอก: 0125-2526
ภาษา: English-Great Britain (EN-GB)
ดูในเว็บของวิทยาศาสตร์ | บทความในเว็บของวิทยาศาสตร์
บทคัดย่อ
In this study, thin nanoporous alumina templates were fabricated from provided pure thin aluminum films deposited on GaN surface by electron beam evaporation after growing GaN on Sapphire substrates by metal organic chemical vapor deposition (MOCVD). The aluminum films were anodized in electrochemical system with the solution of oxalic acid (H2C2O4). The nanoporous alumina template was gradually formed on the substrate with the growth rates of between 36 and 39 nm/min. To investigate the template, field emission scanning electron microscopy (FESEM) was introduced. The structure and the cell size were investigated by transmission electron microscopy (TEM). It was found that the pore diameter and vertical length were about 42 nm and 400 nm, respectively. Moreover, the thicknesses of the sidewall and the barrier layer at the bottom of alumina nanopores are similar about 26 nm.
คำสำคัญ
Fesem, GaN/sapphire, Nanoporous alumina, Tem, Thin aluminum film
ติดต่อสอบถามเพิ่มเติมได้ที่