Critical thickness of diamond-like carbon study using X-ray photoelectron spectroscopy depth profiling

Conference proceedings article

ผู้เขียน/บรรณาธิการ

กลุ่มสาขาการวิจัยเชิงกลยุทธ์

ไม่พบข้อมูลที่เกี่ยวข้อง

รายละเอียดสำหรับงานพิมพ์

รายชื่อผู้แต่ง: Khamnaulthong N., Siangchaew K., Limsuwan P.

ปีที่เผยแพร่ (ค.ศ.): 2013

หน้าแรก: 122

หน้าสุดท้าย: 123

จำนวนหน้า: 2

ISBN: 9781467348416

นอก: 0891-7736

eISSN: 0891-7736

URL: https://www.scopus.com/inward/record.uri?eid=2-s2.0-84874768252&doi=10.1109%2fINEC.2013.6465973&partnerID=40&md5=77bb9cf0fd251bd735b4b4c8427b47e4

ภาษา: English-Great Britain (EN-GB)

ดูบนเว็บไซต์ของสำนักพิมพ์

บทคัดย่อ

A bi-layer stack of ion-beam sputtered Si-Si3N4 and tetrahedral amorphous diamond-like carbon made by filtered cathodic arc thin films were grown and heated to 200 ฐC at varying time to study the protective capability of diamond-like carbon film in preventing oxidation of underlying material. Depth profiling of such film by X-ray photoelectron spectroscopy showed that tetrahedral amorphous diamond-like carbon can slow down oxidation and with 1.0 nm thickness film can prevent Si-Si3N 4 film from oxidizing when heated up to 200 ฐC. ฉ 2013 IEEE.

คำสำคัญ

ไม่พบข้อมูลที่เกี่ยวข้อง