High frequency precision modelling of CMOS-based translinear CCCII-

Conference proceedings article

ผู้เขียน/บรรณาธิการ

กลุ่มสาขาการวิจัยเชิงกลยุทธ์

ไม่พบข้อมูลที่เกี่ยวข้อง

รายละเอียดสำหรับงานพิมพ์

รายชื่อผู้แต่ง: Meechuea N., Chipipop B., Chaisricharoen R., Sirinaovakul B.

ผู้เผยแพร่: Hindawi

ปีที่เผยแพร่ (ค.ศ.): 2013

หน้าแรก: 697

หน้าสุดท้าย: 702

จำนวนหน้า: 6

ISBN: 9781467355803

นอก: 0146-9428

eISSN: 1745-4557

URL: https://www.scopus.com/inward/record.uri?eid=2-s2.0-84891112157&doi=10.1109%2fISCIT.2013.6645964&partnerID=40&md5=3f2010cf40d6b958aa266b00b0062539

ภาษา: English-Great Britain (EN-GB)

ดูบนเว็บไซต์ของสำนักพิมพ์

บทคัดย่อ

Recently, a minus-type second-generation current-controlled conveyer (CCCII-) was introduced. The method implementing used CMOS-based technology. Some parasitic capacitances and resistances were ignored in the previous models. This paper presents the high frequency modelling that uses MOSFET equivalent circuit with all parasitic capacitances. This includes the investigating high frequency characteristics of translinear CCCII-. The symbolic mathematical analysis technique via MATLAB program is used to find transfer function for comparing of two modelling; Fabre's outside-in modelling and equivalent circuit modelling. Implementing CMOS CCCII- based on the MOSIS IBM 90nm RF CMOS BSIM4 level-54 process with HSPICE simulations is used under ฑ1.2V supply voltages. ฉ 2013 IEEE.

คำสำคัญ

CCCII, CMOS, high frequency modelling, minus-type, translinear