Thermally stimulated luminescence in Ce-doped yttrium oxyorthosilicate

บทความในวารสาร

ผู้เขียน/บรรณาธิการ

กลุ่มสาขาการวิจัยเชิงกลยุทธ์

ไม่พบข้อมูลที่เกี่ยวข้อง

รายละเอียดสำหรับงานพิมพ์

รายชื่อผู้แต่ง: Mihokova E., Vávrů K., Horodyský P., Chewpraditkul W., Jarý V., Nikl M.

ผู้เผยแพร่: Institute of Electrical and Electronics Engineers

ปีที่เผยแพร่ (ค.ศ.): 2012

วารสาร: IEEE Transactions on Nuclear Science (0018-9499)

Volume number: 59

Issue number: 5 PART 2

หน้าแรก: 2085

หน้าสุดท้าย: 2088

จำนวนหน้า: 4

นอก: 0018-9499

eISSN: 1558-1578

URL: https://www.scopus.com/inward/record.uri?eid=2-s2.0-84867574700&doi=10.1109%2fTNS.2012.2190521&partnerID=40&md5=6af807a8f05c24610ca1d85649f75d35

ภาษา: English-Great Britain (EN-GB)

ดูในเว็บของวิทยาศาสตร์ | ดูบนเว็บไซต์ของสำนักพิมพ์ | บทความในเว็บของวิทยาศาสตร์

บทคัดย่อ

We analyze thermally stimulated luminescence (TSL) above room temperature in Ce-doped Y 2 SiO 5 oxyorthosilicate single crystal. We perform detailed TSL glow peak analysis based on the initial rise technique to evaluate trap depths and other characteristics associated with TSL peaks. The tunneling process previously proposed to be at work in recombination mechanism of Ce-doped lutetium oxyothosilicate was not confirmed in presently studied isostructural yttrium silicate. The charge carrier transfer between traps and Ce recombination centers is rather accomplished via conduction band. ฉ 2012 IEEE.

คำสำคัญ

thermoluminescence