Stress induced in Al2O3 films as deposited onto Al2O3TiC substrate by RF diode sputtering

Conference proceedings article

ผู้เขียน/บรรณาธิการ

กลุ่มสาขาการวิจัยเชิงกลยุทธ์

ไม่พบข้อมูลที่เกี่ยวข้อง

รายละเอียดสำหรับงานพิมพ์

รายชื่อผู้แต่ง: Panitchakan H., Limsuwan P.

ผู้เผยแพร่: Trans Tech Publications

ปีที่เผยแพร่ (ค.ศ.): 2013

Volume number: 622

หน้าแรก: 716

หน้าสุดท้าย: 719

จำนวนหน้า: 4

ISBN: 9783037855638

นอก: 1022-6680

eISSN: 1662-8985

URL: https://www.scopus.com/inward/record.uri?eid=2-s2.0-84872705809&doi=10.4028%2fwww.scientific.net%2fAMR.622-623.716&partnerID=40&md5=857a83197064f68652360339f59afc8d

ภาษา: English-Great Britain (EN-GB)

ดูบนเว็บไซต์ของสำนักพิมพ์

บทคัดย่อ

Al2O3 films were deposited onto Al2O3-TiC substrates by RF diode sputtering. The Al2O3 films were deposited at various substrate bias voltages from -80 to -180 V, sputtering powers from to 8 kW and operating pressures from 20 to 30 mTorr. The stress induced in Al2O3 films was measured. The results show that the stress induced in all prepared Al2O3 films is tensile stress. The stress slightly increased with increasing substrate bias voltage whereas it increased linearly with increasing operating pressure. However, the stress was almost constant as the sputtering was increased from 5 to 8 kW and significantly decreased as the sputtering power was decreased below kW. ฉ (2013) Trans Tech Publications, Switzerland.

คำสำคัญ

Stress, Stress in the film