Electrical properties of bi-layered nanostructured au/indium tin oxide thin films
บทความในวารสาร
ผู้เขียน/บรรณาธิการ
กลุ่มสาขาการวิจัยเชิงกลยุทธ์
ไม่พบข้อมูลที่เกี่ยวข้อง
รายละเอียดสำหรับงานพิมพ์
รายชื่อผู้แต่ง: Jutarosaga T., Suapadkron P., Tuayjareon R., Luangchaisri C., Dumrongrattana S.
ปีที่เผยแพร่ (ค.ศ.): 2014
วารสาร: Kasetsart Journal - Natural Science (0075-5192)
Volume number: 48
Issue number: 5
หน้าแรก: 815
หน้าสุดท้าย: 822
จำนวนหน้า: 8
นอก: 0075-5192
ภาษา: English-Great Britain (EN-GB)
บทคัดย่อ
Au thin films were deposited on 150-nm thick indium tin oxide (ITO)/glass using a simple direct current sputtering technique. The Au thickness was varied from approximately 8 nm to 34 nm. Asdeposited bi-layered Au/ITO thin films were then characterized using a four-point probe technique and Hall measurement to identify their electrical properties. The results showed that there was a substantial contribution from the Au films on the electrical conductivity of the bi-layered material, even when a discontinuous Au nanostructure was observed on the ITO films. A simple circuit model was developed to identify the electrical behavior of this bi-layered material. The increase in the carrier concentration and the reduction in carrier mobility was possibly a result of the interfaces between the Au islands and the ITO film. ฉ 2014 Kasetsart J. (Nat. Sci.) All rights received.
คำสำคัญ
Bi-layered thin films, Electrical resistivity, Four-point probe, Metallic thin films
ติดต่อสอบถามเพิ่มเติมได้ที่