The five parameter grain boundary character distribution of polycrystalline silicon
บทความในวารสาร
ผู้เขียน/บรรณาธิการ
กลุ่มสาขาการวิจัยเชิงกลยุทธ์
ไม่พบข้อมูลที่เกี่ยวข้อง
รายละเอียดสำหรับงานพิมพ์
รายชื่อผู้แต่ง: Ratanaphan S., Yoon Y., Rohrer G.S.
ผู้เผยแพร่: Springer
ปีที่เผยแพร่ (ค.ศ.): 2014
วารสาร: Journal of Materials Science (0022-2461)
Volume number: 49
Issue number: 14
หน้าแรก: 4938
หน้าสุดท้าย: 4945
จำนวนหน้า: 8
นอก: 0022-2461
eISSN: 1573-4803
ภาษา: English-Great Britain (EN-GB)
ดูในเว็บของวิทยาศาสตร์ | ดูบนเว็บไซต์ของสำนักพิมพ์ | บทความในเว็บของวิทยาศาสตร์
บทคัดย่อ
The purpose of this paper is to describe the five-parameter grain boundary character distribution (GBCD) of polycrystalline silicon and compare it to distributions measured in metals and ceramics. The GBCD was determined from the stereological analysis of electron backscatter diffraction maps. The distribution of grain boundary disorientations is non-random and has peaks at 36ฐ, 39ฐ, 45ฐ, 51ฐ, and 60ฐ. The axis-angle distribution reveals that most of the grain boundaries have misorientations around the [111], [110], and [100] axes. The most common grain boundary type (30 % number fraction) has a 60ฐ misorientation around [111] and of these boundaries, the majority are twist boundaries. For other common boundaries, symmetric tilt configurations are preferred. The grain boundary character distribution of Si is distinct from those previously observed for metals and ceramics. The measured grain boundary populations are inversely correlated to calculated grain boundary energies available in the literature. ฉ 2014 Springer Science+Business Media New York.
คำสำคัญ
ไม่พบข้อมูลที่เกี่ยวข้อง
ติดต่อสอบถามเพิ่มเติมได้ที่