Intrinsic light yield and light loss coefficient of Bi4Ge 3O12 single crystals

Conference proceedings article

ผู้เขียน/บรรณาธิการ

กลุ่มสาขาการวิจัยเชิงกลยุทธ์

ไม่พบข้อมูลที่เกี่ยวข้อง

รายละเอียดสำหรับงานพิมพ์

รายชื่อผู้แต่ง: Yawai N., Chewpraditkul W., Wanarak C., Nikl M., Ratanatongchai W.

ผู้เผยแพร่: Elsevier

ปีที่เผยแพร่ (ค.ศ.): 2014

Volume number: 36

Issue number: 12

หน้าแรก: 2030

หน้าสุดท้าย: 2033

จำนวนหน้า: 4

นอก: 0925-3467

eISSN: 1873-1252

URL: https://www.scopus.com/inward/record.uri?eid=2-s2.0-84892377651&doi=10.1016%2fj.optmat.2013.12.034&partnerID=40&md5=1d7f733ffc5e2d5da630ac97b2ab9ed1

ภาษา: English-Great Britain (EN-GB)

ดูในเว็บของวิทยาศาสตร์ | ดูบนเว็บไซต์ของสำนักพิมพ์ | บทความในเว็บของวิทยาศาสตร์

บทคัดย่อ

In this paper we present the scintillation properties of polished Bi 4Ge3O12 (BGO) crystals grown by the Bridgman method. The light yield (LY) and energy resolution were measured using XP5200B photomultiplier. At 662 keV γ-rays, high LY of 9680 photons/MeV and good energy resolution of 8.6% were obtained for a 5 × 5 × 1 mm 3 BGO sample. The intrinsic LY and light loss coefficient were evaluated. The photofraction in pulse height spectrum of 662 keV γ-rays and the mass attenuation coefficient at 59.5 and 662 keV γ-rays were also determined and compared with the theoretical ones calculated using the WinXCom program. © 2014 Elsevier B.V. All rights reserved.

คำสำคัญ

Light yield, Photofraction