Development of low-pressure high-frequency plasma chemical vapor deposition method on surface modification of silicon wafer

บทความในวารสาร

ผู้เขียน/บรรณาธิการ

กลุ่มสาขาการวิจัยเชิงกลยุทธ์

ไม่พบข้อมูลที่เกี่ยวข้อง

รายละเอียดสำหรับงานพิมพ์

รายชื่อผู้แต่ง: Thungsuk N., Nuchuay P., Hirotani D., Okamura Y., Nakabayashi K., Kinoshita H., Yuji T., Mungkung N., Kasayapanand N.

ผู้เผยแพร่: Elsevier

ปีที่เผยแพร่ (ค.ศ.): 2014

วารสาร: Vacuum (0042-207X)

Volume number: 109

หน้าแรก: 166

หน้าสุดท้าย: 169

จำนวนหน้า: 4

นอก: 0042-207X

eISSN: 1879-2715

URL: https://www.scopus.com/inward/record.uri?eid=2-s2.0-84905399551&doi=10.1016%2fj.vacuum.2014.06.029&partnerID=40&md5=61b9f87f0c27047e9600aab874b54c3d

ภาษา: English-Great Britain (EN-GB)

ดูในเว็บของวิทยาศาสตร์ | ดูบนเว็บไซต์ของสำนักพิมพ์ | บทความในเว็บของวิทยาศาสตร์

บทคัดย่อ

Even though silicon based solar cell currently has more efficient, the dye sensitized solar cell is considerably cheaper for manufacturing because of its low cost materials and simplicity process of fabrication. In this paper, the development of plasma formed equipments for thin film material on flexible solar cell using low-pressure high-frequency plasma chemical vapor deposition method on the surface of Si wafer with the mixture of Ar gas and O2 gas is presented. The results indicate that using this method can be possible for surface modification. ฉ 2014 Elsevier Ltd. All rights reserved.

คำสำคัญ

flexible solar cell, Low pressure, Plasma CVD