Design and implementation of microwave transistor amplifiers using two-section CCITLs

Conference proceedings article


ผู้เขียน/บรรณาธิการ


กลุ่มสาขาการวิจัยเชิงกลยุทธ์

ไม่พบข้อมูลที่เกี่ยวข้อง


รายละเอียดสำหรับงานพิมพ์

รายชื่อผู้แต่งLimsaengruchi S., Silapunt R., Torrungrueng D.

ผู้เผยแพร่Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.

ปีที่เผยแพร่ (ค.ศ.)2014

หน้าแรก1692

หน้าสุดท้าย1693

จำนวนหน้า2

ISBN9781479935406

นอก1522-3965

eISSN1522-3965

URLhttps://www.scopus.com/inward/record.uri?eid=2-s2.0-84907880553&doi=10.1109%2fAPS.2014.6905172&partnerID=40&md5=2f78b2acbc3a91b906e3f21bd9216838

ภาษาEnglish-Great Britain (EN-GB)


ดูบนเว็บไซต์ของสำนักพิมพ์


บทคัดย่อ

A microwave transistor amplifier in the conjugately characteristic impedance transmission line (CCITL) system is designed and implemented using terminated finite lossless reciprocal periodic structures consisting of multiple 2-section microstrip reciprocal lossless transmission lines (TLs). The 2-section TL unit cell is designed at Φ = 15°, the argument of Z0- which is the characteristic impedance of the backward wave associated with CCITLs. The frequencies where simulated and measured S21 peaks are found, are slightly below the designed operating frequency of 2.4 GHz. The measured S21 profile is similar to that obtained from the simulation; however, the overall value is lower due to associated losses in supplementary components. © 2014 IEEE.


คำสำคัญ

ไม่พบข้อมูลที่เกี่ยวข้อง


อัพเดทล่าสุด 2023-06-10 ถึง 07:36