The development of polyethylene naphthalate films by low-pressure high-frequency plasma chemical vapor deposition system with advance oxidations process

บทความในวารสาร

ผู้เขียน/บรรณาธิการ

กลุ่มสาขาการวิจัยเชิงกลยุทธ์

ไม่พบข้อมูลที่เกี่ยวข้อง

รายละเอียดสำหรับงานพิมพ์

รายชื่อผู้แต่ง: Thungsuk N., Yuji T., Mungkung N., Okamura Y., Fujimaru A., Kinoshita H., Hirotani D., Kawano M., Kasayapanand N.

ผู้เผยแพร่: Sti; 1998

ปีที่เผยแพร่ (ค.ศ.): 2015

วารสาร: Journal of Advanced Oxidation Technologies (1203-8407)

Volume number: 18

Issue number: 1

หน้าแรก: 123

หน้าสุดท้าย: 128

จำนวนหน้า: 6

นอก: 1203-8407

URL: https://www.scopus.com/inward/record.uri?eid=2-s2.0-84921653709&doi=10.1515%2fjaots-2015-0115&partnerID=40&md5=aec90c1070b34d36363c0d3724be08f3

ภาษา: English-Great Britain (EN-GB)

ดูในเว็บของวิทยาศาสตร์ | ดูบนเว็บไซต์ของสำนักพิมพ์ | บทความในเว็บของวิทยาศาสตร์

บทคัดย่อ

The low-pressure high-frequency plasma chemical vapor deposition (CVD) system was developed with non-thermal plasma process to study the Polyethylene naphthalate (PEN) surface characteristics. Plasma surface treatment by oxygen can improve the adhesive properties. A mixture of Ar and O2 gas was used in the plasma treatment. The oxygen gas flow rate was between 0.1 L/min and 0.5 L/min, whereas the Ar gas flow rate was set at 10 L/min. The surface was investigated by contact angle meter and X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) to determine the differences between untreated and treated surfaces. The results indicated that the low-pressure high-frequency plasma chemical vapor deposition system could be used for surface modification. ฉ 2015 Science & Technology Network, Inc.

คำสำคัญ

PEN films