Luminescence and scintillation properties of liquid phase epitaxy grown Y2SiO5:Ce single crystalline films

บทความในวารสาร

ผู้เขียน/บรรณาธิการ

กลุ่มสาขาการวิจัยเชิงกลยุทธ์

ไม่พบข้อมูลที่เกี่ยวข้อง

รายละเอียดสำหรับงานพิมพ์

รายชื่อผู้แต่ง: Wantong K., Yawai N., Chewpraditkul W., Kucera M., Hanus M., Nikl M.

ผู้เผยแพร่: Elsevier

ปีที่เผยแพร่ (ค.ศ.): 2017

วารสาร: Journal of Crystal Growth (0022-0248)

Volume number: 468

หน้าแรก: 275

หน้าสุดท้าย: 277

จำนวนหน้า: 3

นอก: 0022-0248

eISSN: 1873-5002

URL: https://www.scopus.com/inward/record.uri?eid=2-s2.0-85008512249&doi=10.1016%2fj.jcrysgro.2016.12.094&partnerID=40&md5=caa2470f96594819c875e1ed7993f452

ภาษา: English-Great Britain (EN-GB)

ดูในเว็บของวิทยาศาสตร์ | ดูบนเว็บไซต์ของสำนักพิมพ์ | บทความในเว็บของวิทยาศาสตร์

บทคัดย่อ

Luminescence and scintillation properties of Y2SiO5:Ce single crystalline film (YSO:Ce-LPE) grown by the liquid phase epitaxy technique are investigated and compared to the bulk Czochralski-grown YSO:Ce single crystal (YSO:Ce-SC). The light yield (LY) and energy resolution are measured using an R6231 photomultiplier under excitation with α - and γ- rays. At 662 keV γ- rays, the LY value of 12,410 ph/MeV obtained for YSO:Ce -LPE is lower than that of 20,150 ph/MeV for YSO:Ce -SC whereas the comparable LY value and energy resolution are obtained under excitation with 5.5 MeV α- rays. The ratio of LY under excitation with α- and γ- rays (α/γ ratio) is determined. Dependence of LY on an amplifier shaping time (0.5–12 µs) is also measured. © 2017 Elsevier B.V.

คำสำคัญ

A1. Luminescence, A3. Liquid phase epitaxy, B1. Ce doping, B1. Y2SiO5:Ce, B2. Scintillator materials