Role of the radio frequency magnetron sputtered seed layer properties on ultrasonic spray pyrolyzed ZnO thin films

บทความในวารสาร


ผู้เขียน/บรรณาธิการ


กลุ่มสาขาการวิจัยเชิงกลยุทธ์

ไม่พบข้อมูลที่เกี่ยวข้อง


รายละเอียดสำหรับงานพิมพ์

รายชื่อผู้แต่งTomakin M., Onuk Z., Rujisamphan N., Shah S.I.

ผู้เผยแพร่Elsevier

ปีที่เผยแพร่ (ค.ศ.)2017

วารสารThin Solid Films (0040-6090)

Volume number642

หน้าแรก163

หน้าสุดท้าย168

จำนวนหน้า6

นอก0040-6090

eISSN1879-2731

URLhttps://www.scopus.com/inward/record.uri?eid=2-s2.0-85029821365&doi=10.1016%2fj.tsf.2017.09.039&partnerID=40&md5=11ff51e6509d240d6d322c8967d7fdd4

ภาษาEnglish-Great Britain (EN-GB)


ดูในเว็บของวิทยาศาสตร์ | ดูบนเว็บไซต์ของสำนักพิมพ์ | บทความในเว็บของวิทยาศาสตร์


บทคัดย่อ

Herein, we investigated structural and electrical properties of ultrasonic spray pyrolyzed ZnO thin films (ZnO(USP)) deposited on radio frequency sputtered ZnO nanocolumns (ZnO(Seed)) under various oxygen atmosphere on p-Si substrates. X-ray diffraction data of the samples showed that the samples had a hexagonal structure with a strong (002) preferred orientation. The grain size of ZnO(USP) samples prepared on the seed layer sputtered in 25% and 50% oxygen atmosphere decreased and surface morphology was nanopebbles. ZnO samples prepared on the seed layers exhibited sharp and predominant ultraviolet luminescence at approximately 380 nm. The current–voltage characteristics of the n-ZnO(USP)/n-ZnO(seed)/p-Si heterojunctions were significantly affected by the seed layer preparation conditions. Backward diode behavior was observed for the n-ZnO(USP)/n-ZnO(seed)/p-Si heterojunctions with high donor concentration, in which the seed layers prepared in 100% and 75% argon atmosphere. The carrier concentration value was decreased for the films with the seed layer, obtained at higher oxygen content in the sputtering atmosphere. © 2017 Elsevier B.V.


คำสำคัญ

HeterojunctionUltrasonic spray


อัพเดทล่าสุด 2023-02-10 ถึง 07:35