Effect of thick barrier in a gapped graphene Josephson junction
Conference proceedings article
ผู้เขียน/บรรณาธิการ
กลุ่มสาขาการวิจัยเชิงกลยุทธ์
ไม่พบข้อมูลที่เกี่ยวข้อง
รายละเอียดสำหรับงานพิมพ์
รายชื่อผู้แต่ง: Suwannasit T., Liewrian W.
ผู้เผยแพร่: IOP Publishing
ปีที่เผยแพร่ (ค.ศ.): 2017
Volume number: 901
Issue number: 1
นอก: 1742-6588
eISSN: 1742-6596
ภาษา: English-Great Britain (EN-GB)
ดูในเว็บของวิทยาศาสตร์ | ดูบนเว็บไซต์ของสำนักพิมพ์ | บทความในเว็บของวิทยาศาสตร์
บทคัดย่อ
We study the Josephson effect in a gapped graphene-based superconductor/barrier/superconductor junction using the Dirac-Bogoliubov de Gennes (DBdG) equation for theoretical prediction. A massive gap of this regime is induced by fabricating a monolayer graphene on substrate-induced bandgap and superconductivity is acquired by the proximity effect of conventional superconductor (s-wave superconductor) through top gate electrodes. This Josephson junction is investigated in case of thick barrier limit that is pointed out the effect of applying a gate voltage VG in the barrier. We find that the switching supercurrent can be controlled by the gate VG and the effect of thick barrier can influence the switching linear curve. When the barrier is adjusted to manner of a potential well which is inside the range of , the supercurrent in the thick barrier case is examined to the same behavior as the thin barrier case. The controlling supercurrent through the electrostatic gate is suitable for alternative mechanism into experimental test. ฉ Published under licence by IOP Publishing Ltd.
คำสำคัญ
ไม่พบข้อมูลที่เกี่ยวข้อง
ติดต่อสอบถามเพิ่มเติมได้ที่