Scintillation Characteristics of GAGG:Ce Single-Crystalline Films Grown by Liquid Phase Epitaxy

บทความในวารสาร

ผู้เขียน/บรรณาธิการ

กลุ่มสาขาการวิจัยเชิงกลยุทธ์

ไม่พบข้อมูลที่เกี่ยวข้อง

รายละเอียดสำหรับงานพิมพ์

รายชื่อผู้แต่ง: Chewpraditkul W., Chewpraditkul W.R., Yawai N., Wantong K., Kucera M., Lucenicova Z., Nikl M.

ผู้เผยแพร่: Institute of Electrical and Electronics Engineers

ปีที่เผยแพร่ (ค.ศ.): 2018

วารสาร: IEEE Transactions on Nuclear Science (0018-9499)

Volume number: 65

Issue number: 8

หน้าแรก: 2132

หน้าสุดท้าย: 2135

จำนวนหน้า: 4

นอก: 0018-9499

eISSN: 1558-1578

URL: https://www.scopus.com/inward/record.uri?eid=2-s2.0-85041511243&doi=10.1109%2fTNS.2018.2803208&partnerID=40&md5=d7a1a3dc6c2350e3c4092b4203edbcab

ภาษา: English-Great Britain (EN-GB)

ดูในเว็บของวิทยาศาสตร์ | ดูบนเว็บไซต์ของสำนักพิมพ์ | บทความในเว็บของวิทยาศาสตร์

บทคัดย่อ

The Gd3(Al,Ga)5O12:Ce single-crystalline films were grown by a liquid phase epitaxy (LPE) technique from BaO-B2O3-BaF2 flux. The scintillation characteristics were investigated and compared to the bulk Gd3(Al2.7Ga2.3)O12:Ce single crystal (SC) grown by the Czochralski technique. The light yield (LY) and energy resolution were measured using an R6231 photomultiplier. At 5.5-MeV α -particles, the LY value of 7100 photons/MeV obtained for Gd3Al2.62Ga2.38O12:Ce-LPE sample is lower than that of 9310 photons/MeV for the Gd3(Al2.7Ga2.3)O12:Ce-SC sample, whereas an energy resolution of the LPE sample is better (5.9% versus 6.6%). The ratio of LY value under excitation with α - and γ -rays ( α/γ ratio) was also determined. Faster scintillation decay time and lower slow-component content were obtained for LPE samples with respect to Gd3(Al2.7Ga2.3)O12:Ce-SC one. © 1963-2012 IEEE.

คำสำคัญ

Gd3(Al,Ga)1O12:Ce, liquid phase epitaxy (LPE), single-crystalline films