Fabrication processes of soi structure for optical nonreciprocal devices

Conference proceedings article

ผู้เขียน/บรรณาธิการ

กลุ่มสาขาการวิจัยเชิงกลยุทธ์

ไม่พบข้อมูลที่เกี่ยวข้อง

รายละเอียดสำหรับงานพิมพ์

รายชื่อผู้แต่ง: Choowitsakunlert S., Takagiwa K., Kobashigawa T., Hosoya N., Silapunt R., Yokoi H.

ผู้เผยแพร่: Trans Tech Publications

ปีที่เผยแพร่ (ค.ศ.): 2018

Volume number: 777 KEM

หน้าแรก: 107

หน้าสุดท้าย: 112

จำนวนหน้า: 6

ISBN: 9783035713718

นอก: 1013-9826

eISSN: 1662-9795

URL: https://www.scopus.com/inward/record.uri?eid=2-s2.0-85054883079&doi=10.4028%2fwww.scientific.net%2fKEM.777.107&partnerID=40&md5=7982f9a8a1beaf640ad7e85b2e5bc8e4

ภาษา: English-Great Britain (EN-GB)

ดูบนเว็บไซต์ของสำนักพิมพ์

บทคัดย่อ

Fabrication processes of a magneto-optic waveguide with a Si guiding layer for an optical isolator employing a nonreciprocal guided-radiation mode conversion are investigated. The optical isolator is constructed on a silicon-on-insulator (SOI) structure. The magneto-optic waveguide is fabricated by bonding the Si guiding layer with a cerium-substituted yttrium iron garnet (Ce: YIG). The relationship of waveguide geometric parameters is determined at a wavelength of 1550 nm. The results show that larger tolerance for isolator operation can be obtained at smaller gaps between Si and Ce: YIG. Bonding processes including photosensitive adhesive bonding and surface activated bonding are then compared. It is found that the surface activated bonding process is easier to control and more promising than the photosensitive adhesive bonding. ฉ 2018 Trans Tech Publications, Switzerland.

คำสำคัญ

Photosensitive adhesive bonding, Silicon-on-insulator (SOI), Surface activated bonding